MOS管的工作原理

目前主板或显卡上使用的MOS管并不太多，一般有10个左右。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大，然后在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。另一种晶体管叫FET，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。它们是电流控制装置和电压控制装置。FET的增益等于其跨导)gm，跨导定义为输出电流的变化与输入电压的变化之比。FET的名字也来源于它的输入栅极(称为gate)，它通过在绝缘层(氧化物SIO2)上投射电场来影响流经晶体管的电流。实际上没有电流流过这个绝缘体(只是电容的作用)，所以FET的栅极电流很小(电容的电流损耗)。最常见的FET在栅电极下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体。这种晶体管被称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

拓扑学是数学，所以肯定是具有数学之于物理的一般意义：提供描述语言和逻辑工具。拓扑学在很多“高大上”的物理中的应用非常深广（或者说结合很紧密），这里好几个回答都提到了。至于在软物质研究领域，主要分为两大趣味：一是无序性，这个主要建立在统计和动力学（dynamics）的语言上，因此拓扑学可以用于相空间的研究，例如刘维尔方程的辛几何；另一个是特殊的、暂时的有序性，在此拓扑学可以用于形貌的描述，例如在拓扑学在物理研究中有哪些具体应用？另外，还有人从化学的角度进行了回答。化学的旨趣之一是合成，创造自然界没有的、新奇的结构。化学为我们提供了拓扑学分类意义上的新体系，已经完成任务。但是任何数学对物理学都可以有这种意义，所以上述拓扑学的意义就流于一般化。在物理学上可以进一步去探索：这些新体系在拓扑学上的不同，对应着什么性质的不同，或者问是否存在这样的对应性？换句话说，存不存仅依赖拓扑学差异，而不依赖具体化学和几何结构的物理体系及其性质？这个问题就不同于“拓扑学在物理学研究中有什么用”了，而是问：物理学已经发现的哪些规律使人觉得“上帝懂拓扑学”、“上帝特意利用拓扑学设计了世界的这一部分”？“手性”不算拓扑学的研究对象（它应该属于对称群的研究对象），但可以用来解释什么叫“在物理学上的意义”。例如化学中的对映结构选择性、手性放大，就是直接对应。

还有，物理中很多集群行为的有序性也取决于手性。这也是功能与结构存在具体对应性的例子。还有一个例子就是，“聚合物可结晶性”中的构型（conformation）因素，如全同聚丙烯能结晶成为塑料，而无规聚丙烯不结晶无法作为结构材料。这是手性的有序性与性质（功能）的直接对应关系。

于是，在软物质当中，拓扑学差异有没有类似手性这样，直接决定物理性质的例子？这才是我关心的问题。拓扑学在物理研究中有哪些具体应用？ - 傅渥成的回答 中提到的几个代表性例子中拓扑学差异只是一种结果；而拓扑学在物理研究中有哪些具体应用？ - 成楚旸的回答 中的例子代表着我们也能实现拓扑学层面上的制备，但它们能导致什么结果有待研究。而更广阔的视点应该是去在各类体系的新行为研究中留意哪些是直接由拓扑学差异所对应的结果。可是，在化学和软物质领域的论文中，“拓扑”一词被严重滥用。很多“拓扑结构依赖性”其实没什么拓扑学意义上的差异。

您可能很清楚，现代电气工程，实际上是整个现代世界，与称为晶体管的设备密不可分。这些组件既可用作开/关开关，也可用作放大器。虽然场效应晶体管目前在电子领域占主导地位，但原始晶体管是双极晶体管，很快就会有第一个双极结型晶体管或BJT。

BJT有两种基本形式：NPN和PNP。这些字母指的是正掺杂半导体层和负掺杂半导体层的排列，如下图所示：

请注意，彩色PNP和NPN图是简化的，不能反映集成电路BJT的实际物理配置。

NPN与PNP：为什么PNP晶体管很重要

根据我的经验，NPN晶体管比PNP花费更多时间。想到这一点的几个原因：

NPN晶体管的电压和电流特性（至少在我看来）更加直观。

当需要开关或驱动电路时，NPN为数字输出信号（例如微控制器产生的控制信号）提供了更直接的接口。

NPN实际上在重要方面优于PNP。这导致了NPN的特别主导地位，因为BJT必须与MOSFET竞争，BJT团队在向比赛发送NPN时更容易获胜。笔者这个2009年加州大学伯克利分校的文件，胡正明，走得更远，他说的，因为这种情况，即较高的NPN性能和MOSFET的-BJT的普遍倾向于认为是“几乎完全是NPN型的。”

因此，我们不能否认PNP不太常见，并且通常不太理想 - 但这并不意味着我们应该忽略它们。本文的其余部分将讨论PNP特性和应用程序。

电荷载体：电子与空穴

如上所示，PNP晶体管的发射极和集电极通过p型掺杂形成。这意味着PNP中的大多数电荷载流子都是空穴。

这个事实似乎与实际工程无关，因为只要电路工作，我们真的不关心使用什么类型的电荷载体。但事实证明，我们不能简单地忽略空洞与电子问题，因为空洞比电子“慢”。更具体地，它们具有较低的移动性。

ADP5054ACPZ-R7 的参数特点

系列：

包装？：磁带和卷轴（TR

部件状态：激活

输出类型：晶体管驱动器

功能：降压

输出配置：正

拓扑结构：Buck

输出数量：4

输出相位：2

电源电压（VCC/VDD）：4.5V~15.5V

频率切换：250kHz~2MHz

占空比（最大）：50%

同步整流器：是

时钟同步：是

串行接口：—

控制功能：启用、频率控制、功率良好

工作温度：-40°C~125°C（Tj）

包装/箱：48-WFQFN外露垫，CSP

供应商设备包：48-LFCSP（7X7）

底座零件号：ADP5054

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