NAND闪存芯片有哪些类型

　　我们都知道，构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存，目前闪存制造厂主要分为三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营，今天小编就来你了解闪存产品的核心—NAND闪存芯片的分类。 NAND闪存，是用于SSD和存储卡的一种非易失性存储体系结构。它的名字来源于逻辑门（NOT-AND），用于确定数字信息如何存储在闪存设备的芯片中。它可以分为SLC、MLC、eMLC和TLC，下面我们具体了解一下。

　　SLC

　　SLC（Single-LevelCell，单层单元）SSD在每个单元中存储一个Bit，这种设计提高了耐久性、准确性和性能。对于企业的关键应用程序和存储服务，SLC是首选的闪存技术。当然，它的价格最高。

　　MLC

　　考虑到闪存的消费级特性，MLC（MulTI-LevelCell，多层单元）架构可以为每个单元存储2个Bit。尽管在存储单元中存储多个Bit似乎能够很好地利用空间，在相同空间内获得更大容量，但它的代价是使用寿命降低，可靠性降低。相对而言，MLCSSD使得在PC和笔记本电脑上增加闪存成为可能。

　　eMLC

　　eMLC（EnterpriseMulTI-LevelCell，企业多级单元）是MLCNAND闪存的一个“增强型”的版本，它在一定程度上弥补了SLC和MLC之间的性能和耐久差距。eMLC驱动器比MLC驱动器贵，但比SLC驱动器便宜得多。尽管每个单元仍然存储2个Bit，但eMLC驱动器的控制器管理数据放置、磨损均衡和一些其他存储 *** 作延长了eMLCSSD的使用寿命。

　　TLC

　　相较于SLC和MLC的Nand闪存，最便宜的是TLC（Triple-LevelCell，三层单元）NAND闪存，每个单元存储3Bit。通常用于性能和耐久性要求相对较低的电子产品，最适合于包含大量读取 *** 作的应用程序，但是随着闪存体系结构的最新改进，3DTLCNANDFlash对持久增强的数据放置和错误纠正技术，使该技术在读密集型企业存储应用程序和工业存储环境中开始了批量使用。

　　总而言之，每种类型的NAND闪存都有不同的使用寿命，这意味着它会在SSD降级并最终失效之前提供有限数量的P/E周期。当然，除了制造缺陷，电力激增或其他灾难性的破坏可能导致SSD的失效，这是决定SSD支持的存储工作负载和应用程序类型的主要影响因素。