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美光下一代 232 层 NAND闪存将于2022年底前实现量产
半导体行业十分有趣,同时也充满挑战。俗话说,“打江山难,守江山更难”,这句话形容半导体行业十分贴切。我们需要顶住重重压力,不断突破物理、化学、制造和创新的极限,以推动逻辑、内存、存储等计算器件的发展。
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苹果欲与长江存储合作来降低NAND闪存的价格
9月6日,据韩媒报道,苹果公司将长江存储(YTMC)纳入供应商名单。苹果与YTMC合作的目的是通过使供应商多样化来降低NAND闪存的价格。据报道,苹果已将中国的YTMC加入其iPhone 14的NAN
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SK海力士研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存
SK海力士于8月2日宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。据悉,SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND闪存的样品,并
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东芝推出全球最小嵌入式NAND闪存产品,可用于各种广泛的数字消费产品
东芝公司宣布推出全球最小级别嵌入式NAND闪存产品,这些产品整合了采用尖端的15纳米工艺技术制造的NAND芯片。新产品符合最新的e.MMCTM标准,适用于各种广泛的数字消费产品,包括智能手机、平板电脑
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镁光年中量产25nm NAND闪存
镁光年中量产25nm NAND闪存 镁光公司NAND闪存市场开发部门的经理Kevin Kilbuck近日透露镁光计划明年将其NAND闪存芯片制程转向25nm以下级别,他表示镁光今年年中将开始批量生产
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2017年全球存储器市场预估同比增长10%
在经历了2013年与2014年连续两年20%以上增长的好年景以后,2015年全球存储器市场陷入困境。无论是供应商合并、产能控制还是新型应用频出等过去认为是利好的事情,都没有拯救2015年的存储器市场。
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中国半导体迎来大好时机 但要准备迎接打一场更艰难的仗
2014年9月“大基金”如一声号角,推动中国半导体业继续前进的步伐。近两年来产业发生太多前所未有的改变,无论在国内,甚至在全球都引起很大的反响。从客观上对于中国半导体业是一次前所未曾有过的大好时机。因
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东芝拆分半导体业务或牵连部分台湾厂商
最近这几天,全球的半导体界大事,就属日本老牌科技大厂东芝 (Toshiba) 因美国子公司 “西屋电气” 的核电业务不佳,造成东芝 2016 年 4 月到 12 月期间 7,125 亿日元的亏损。因此
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SK Hynix月底量产48层堆栈3D NAND闪存 三星后第二家
2016年下半年NAND闪存遇到了转机,SSD及移动设备需求高涨,使得三星、东芝、美光、SK Hynix公司一扫上半年的颓势,营收、利润双双大涨,过上好日子。目前NAND闪存需求依然居高不下,厂商也有
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三星NAND闪存芯片销量开始全面超越东芝
3月7日消息,虽然东芝是NAND闪存芯片的发明者,但三星目前已经是NAND芯片行业的领跑者,并且其优势在不断扩大。据全球知名半导体市场调研机构DRAMeXchange发布的最新报告显示,截至2016年
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2017半导体市场规模将达3610亿美元 长江存储等大陆厂商有崛起机会
最新数据显示,到2016年为止,全球半导体市场规模与上一年相比增长1.1%,达到3389亿美元。预计到2017年将会继续保持6.5%的增长速度,达到3610亿美元。而这其中个存储器市场将会以年增长12
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慧荣科技宣布新型控制器现支持Micron 128Gb 16nm TLC NAND闪存
2015年6月4日,台湾台北 —— 在设计和推广固态存储设备专用NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技公司(Silicon MoTIon Technology CorporaTIon, 纳斯
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传东芝将投入89.4亿美元扩大NAND闪存产能
传东芝将投入89.4亿美元扩大NAND闪存产能消息人士周三透露,东芝未来三年内将投入8000亿日元(约合89.4亿)美元,在日本三重县(Mie Prefecture)修建一座闪存芯片制造厂。报道称,东
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SLC、eSLC、MLC、eMLC存在什么差异
作为SSD主要元件的NAND闪存,我们经常见到的有SLC和MLC两种,甚至还细分出eSLC和eMLC等等,现在我们谈一下他们之间的区别。SLC全称single-level cell,即单阶存储单元;M
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三星860 Evo 1TB硬盘评测解析
对SSD硬盘来说,容量越来越大已经是趋势,更大的容量不仅意味着更充足的使用空间,还意味着更高的使用寿命,我们之前测试了三星860Evo系列中的4TB型号,其数据寿命可达2400TBW,是主流硬盘的10
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业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存有哪些特点?
2020年4月13日,长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)宣布其128层QLC 3D NAND 闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。长
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长江存储的技术创新,128层3D NAND闪存芯片问世
(文章来源:OFweek电子工程网)长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片 X2-6070研发成功,已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上
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闪存将会带来怎样的新体验
NAND闪存的未来发展涉及每个存储单元更多的层和位。与此同时,NVMe-oF、存储类内存和其他新技术将从根本上改变内存和存储器的应用和发展。预测任何一项技术的未来发展从来都不是一件容易的事,内存技术也
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NOR与NAND的闪存不同之处在哪
你知道NOR与NAND的闪存的区别在哪吗?究竟哪一款才是最适合你的呢。今天小编就来分析一下NOR与NAND的闪存到底有什么不同,帮你快速挑选中意闪存。闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易