背光应用成长趋缓,LED厂商加速转向照明市场

背光应用成长趋缓,LED厂商加速转向照明市场,第1张

  根据全球市场研究机构TrendForce旗下绿能事业处LEDinside表示,LED市场需求受到背光市场需求减缓,以及库存盘点影响,2013年6月台湾上市上柜LED厂商营收总额下滑至106亿元,其中台湾上市柜LED晶片厂商营收达新台币39.7亿元,台湾上市柜LED封装厂商营收成长也达到新台币66.3亿元。

  而面临到背光市场的需求下滑,台湾LED厂商纷纷将目标转向照明应用,以期望照明应用产品营收能补足背光应用的营收。因此台湾厂商如晶电、亿光、隆达纷纷以ODM、OEM的方式代工一线国际照明厂商产品,以期望藉此补足产能利用率。然而能否走出代工价格红海,则需视厂商是否能思考在产能提高外,往更精细、更具差异化的利润产品前进。

  下半年背光市场成长动能趋缓

  根据TrendForce调查数据显示,2013年液晶电出货量由年初预估的215.5百万台,下修至目前的208.8百万台,年增长率仅 1.1%。主要因素受到全球总经表现仍不明朗,特别是欧洲市场表现不佳,以及中国节能惠民补贴政策宣布停止,中国电视出货成长动能趋缓,加上电视尺寸需求增长导致出货台数下滑影响等多重因素影响。由于上半年电视背光市场的备货效应仅延续到五月底,因此下半年电视背光市场只能期待终端销售表现能否超乎预期。

  背光应用成长趋缓,LED厂商加速转向照明市场,第2张

  背光应用成长趋缓,LED厂商加速转向照明市场,第3张

  下半年照明市场需求缓步成长

  根据LEDinside 观察,中小功率LED于室内照明需求相当畅旺,不论是商业照明如灯管、或是指向性光源产品如PAR灯、筒灯与 AR111,因此主要厂商如Samsung、Nichia的中小功率封装特别于暖白色温在2Q13皆面临一定程度的供货吃紧。面对2H13照明市场需求,LED封装厂商陆续推出新产品或是更良好的产品规格与发光效率、演色性要求,目前虽然仍在送样阶段。预计第三季推出后,LED封装价格才会有明显的价格跌幅。此外,观看高功率LED市场应用,预估下半年,中国地区的标案需求将会释放出来,将有机会带动高功率LED产品需求。因此LEDinside推估2013年LED封装于照明市场产值将会达到29.8亿美金。

  背光应用成长趋缓,LED厂商加速转向照明市场,第4张

  背光应用成长趋缓,LED厂商加速转向照明市场,第5张

  LED产业需“力争上游”

  中国的LED产业是从利润相对微薄的产业链中下游发展气力,上游设备和芯片环节力量的薄弱一直是国内广大LED业者心中的痛。几年来,国内LED上游企业通过一系列自主科技创新,在和国外企业不断抗争的过程中,逐渐成长壮大起来。

  一方面,MOCVD设备的国产化打破了国外企业的垄断。长期以来,作为生产LED芯片的关键设备,MOCVD设备市场一直为欧美企业所占据。设备是进口来的, *** 作设备的工程师也是雇佣来的,一旦人员流失,企业几乎毫无技术积累。显然,这种商业模式在市场好的时候确实能赚点钱,而市场不好的时候,自然难以为继。所以说,国产设备是我国LED技术创新的载体,中国LED产业要想进一步发展,必须有国产设备做支撑。为此,《半导体照明科技发展“十二五”专项规划》提出,要实现大型MOCVD设备及关键配套材料的国产化。

  去年年底开始,来自广东昭信、光达光电等企业有关MOCVD设备国产化的好消息不断传来。具有自主知识产权的MOCVD设备国产化成功,以为相关技术长期被国外垄断的局面将被打破,国内LED自主产业生态链也将更加完善。

  但是,很多业内人士开始为国产MOVCD设备的生存空间担忧:经过了一轮疯狂采购之后,又遭遇当前不景气的市场,外延新盘厂家还有心思去定制新的MOVCD设备吗?生不逢时的国产设备如何在竞争激烈的市场中立足?据最新市场研究数据,随着LED照明应用的飞速发展,预计2013年国内对MOCVD设备的需求在300台左右,而未来3-5年内,需求量将激增至3000台。因此,生不逢时的说法是不正确的,市场空间并不是问题,关键是国内设备生产企业要做好规划,步步为营,足部扩大产销量。

  另一方面,国内LED外延芯片企业也从2000年3-5家,发展到2009年的30多家和2012年的70-80家。经过几年的技术积累,我国硅基大功率LED芯片终于成功量产,不仅在新片片尺寸上有了大的飞跃,而且发光效率也从早期小尺寸芯片的90lm/W提高到超过120lm/W,具有垂直结构、散热好、耐电流密度高、结构简单等综合优势,且已成功应用与路灯、球泡灯、手电筒、矿灯头灯等室内外高端照明产品。截至目前,国产硅基大功率LED芯片的发光效率已达到130lm/W,可与世界一流芯片并驾齐驱。

  众所周知,硅衬底材料与GaN材料大的晶格常数与热膨胀系数差异直接影响芯片质量的主要原因。国内企业通过图形化衬底,采用AIN及AlGaN 多层暖冲层等各种方式引入压应里,减少硅衬底与GaN之间的张应里,从而消除外延层的龟裂。相对创新技术已在多个国家和地区提出了申请。而完整的硅基 LED芯片自主知识产权,将为国内企业走好继蓝宝石衬底、碳化硅衬底之外的第三条半导体照明技术路子打下坚实基础。硅基LED技术的大规模应用将会凸显大规模制造的生产效率优势和成本优势。特别是新一代硅基大功率LED芯片,将进一步提升LED照明产品性能、降低LED照明产品成本,对加快LED照明产品进入千家万户具有里程碑式的意义。

 

欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: https://www.outofmemory.cn/dianzi/2462129.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2022-08-04
下一篇 2022-08-04

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存