专业功放机正常情况下5200和1943他们的各脚电压是多少？

1IFVO

2VCC +5v

3VCC +8v

4PLLIF IF锁相环

5GND 接地 0V

6DECSDEM 声音解调去调耦合

7FMDEMOUT FM输出

8EHTO

9AGCOUT

10VSC

11IREF

12VIFIN2

13VIFIN1

14VDRA

15VDRB

16AVL/EW

17DECBG

18SEPLL

19GND

20PH1LF

21PH2LF

22VP1

23DECDIG

24XTALOUT 晶振24M

25XTALIN 晶振24M

26SYS

27CHK3

28CHK2

29CHK1 按键

30KEY

31MUTE

32LED

33VDD 电源 +33V

34SDA 数据线

35SCL 时钟线

36CONTROL2

37CONTROL1 视频切换

38STANDBY

39IR 遥控接收信号

40VDD 电源 +33V

41GND 0V

42VPE

43VDD 电源 +33V

44BOUT 蓝信号输出

45GOUT 绿信号输出

46ROUT 红信号输出

47BLKIN 消隐电流输入

48BCLIN

49VB3

50CVBS3/Y3 分量输入

51CR3

52YOUT

53YSNC

54VP3 电源 +5V

55GND

56HOUT 行激励信号输出

57FBISO 行逆程脉冲

58AUDOUT-R 音频右输出

59AUDOUT-L 音频左输出

60AUDIO1R 视频1右声道输入

61AUDIO2R 视频2右声道输入

62CVBS2

63AUDIO2L 视频2左声道输入

64AUDIO1L 视频1左声道输入

题主是否想询问“lf353电源脚电压低的原因”原因是电源电压不足、电源线路接触不良、电源滤波不足、过载或短路。

1、电源电压不足：LF353的工作电源电压范围为±3V至±18V，如果电源电压低于这个范围，会导致电源脚电压低。

2、电源线路接触不良：检查电源线路的接触是否良好，如果接触不良，会导致电源脚电压低。

3、电源滤波不足：如果电源线路的滤波电容不足，会导致电源波动过大，从而导致电源脚电压低。

4、过载或短路：如果LF353的输出端过载或短路，会导致电源脚电压低。

不同的供电电压下，发射极电阻不一样时，静态电流不同时，二种三极管各脚电压是不同的。

现在设供电电压为正负50V，发射极电阻01欧，静态电流01A。则:

5200管:c极50V，e极01V,b板08V;

1943管:e极负01V，b极负08V，c极负50V。

双通道通用运算放大器脚位如下:

1:AMP OUT1 放大信号输出(1)

2:IN1- 反相信号输入(1)

3:IN1+ 同相信号输入(1)

4:Vcc- 负电源（单电源时接地）

5:IN2+ 同相信号输入(2)

6:IN2- 反相信号输入(2)

7:AMP OUT2 放大信号输出(2)

8:Vcc+ 正电源（推荐用 ±5V～±15V 以内）

根据它的应用电路不同，电压也不尽相同。通常是对地正负双电源供电，有时也会接成单电源供电。用在音频电路有时会是倍数放大运用，有时接成无倍数放大的追随器，有时是同相放大，有时是反相放大，根据电路设计而定。

用万用表检测IC芯片的几种简易方法

1离线检测

测出IC芯片各引脚对地之间的正,反电阻值以此与好的IC芯片进行比较,从而找到故障点

2在线检测

1)直流电阻的检测法同离线检测一样但要注意:

(a)要断开待测电路板上的电源;

(b)万能表内部电压不得大于6V;

(c)测量时,要注意外围的影响如与IC芯片相连的电位器等

2)直流工作电压的测量法测得IC芯片各脚直流电压与正常值相比即可但也要注意：

(a)万能表要有足够大的内阻,数字表为首选;

(b)各电位器旋到中间位置;

(c)表笔或探头要采取防滑措施,可用自行车气门芯套在笔头上,并应长出笔尖约5mm;

(d)当测量值与正常值不相符时,应根据该引脚电压,对IC芯片常值有无影响以及其它引脚电压的相应变化进行分析;

(e)IC芯片引脚电压会受外围元器件的影响当外围有漏电,短路，开路或变质等;

(f)IC芯片部分引脚异常时,则从偏离大的入手先查外围元器件,若无故障,则IC芯片损坏;

(g)对工作时有动态信号的电路板,有无信号IC芯片引脚电压是不同的但若变化不正常则IC芯片可能已坏;

(h)对多种工作方式的设备,在不同工作方式时IC脚的电压是不同的

3)交流工作电压测试法用带有dB档的万能表,对IC进行交流电压近似值的测量若没有d档,则可在正表笔串入一只01-05μF隔离直流电容该方法适用于工作频率比较低的IC但要注意这些信号将受固有频率,波形不同而不同所以所测数据为近似值,。

4)总电流测量法通过测IC电源的总电流,来判别IC的好坏由于IC内部大多数为直流耦合,IC损坏时(如PN结击穿或开路)会引起后级饱和与截止,使总电流发生变化所以测总电流可判断IC的好坏在线测得回路电。

阻上的电压,即可算出电流值来

BOOT自举升压

Connect BOOT to a 01μF ceramic capacitor to PHASE pin and connect to the cathode of the bootstrap schottky diode

译：连接01μF瓷介电容器和肖特基二极管的阴极产生自举电压，用以良好驱动MOS管的导通。

VCOMP

VCOMP is a voltage loop amplifier output

译：Vcomp是电压回路放大器的输出。

CELLS

This pin is used to select the battery voltage CELLS=VDD for a 4S battery pack, CELLS=GND for a 3S battery pack, CELLS=Float for a 2S battery pack

译：该引脚用来选择电池电压。CELLS为VDD时选择为4S电池组，CELLS接地时选择为3S的电池组，CELLS悬空时选择为2S电池组。

VADJ

VADJ adjusts battery regulation voltage VADJ=VREF for 42V+5%/cell; VADJ=Floating for 42V/cell; VADJ=GND for 42V-5%/cell Connect to a resistor divider to program the desired battery cell voltage between 42V-5% and 42V+5%

译：VADJ调整电池冲电电压。VADJ 为VREF（参考电压）时为42V＋425%V／电芯；VADJ悬空时为42V/电芯；VADJ为GND时42V－425 % /电芯。连接一个电阻分压器的程序所需的电池电压42v-5 %和42V + 5%之间。

CHLIM

CHLIM is the battery charge current limit set pin CHLIM input voltage range is 01V to 36V When CHLIM=33V, the set point for CSOP-CSON is 165mV The charger shuts down if CHLIM is forced below 88mV

译：chlim是电池充电电流限制设定脚。chlim输入电压范围为01至36V。当chlim = 33V，设定点csop-cson是165毫V。如果chlim强制在88毫V以下充电器将关闭。通过控制此脚的电压来改变脉宽方波以改变冲电电流大小。

ACLIM

ACLIM is the adapter current limit set pin ACLIM=VREF for 100mV, ACLIM=Floating for 75mV, and ACLIM=GND for 50mV Connect a resistor divider to program the adapter current limit threshold between 50mV and 100mV

译：aclim是适配器电流限制设定脚。aclim =VREF为100mV（毫V），aclim为悬空时为75mV，aclim 接GND为50mV。连接一个电阻分压器程序将适配器限流阈值电位100mV之间。

通过在公共电前的取样电阻两端信号CSIP和CSIN的电压差来确定当前计算机的适配器电流。当检测到电流超过设定电流时就会减小电池的充电电流，用以减轻适配器的负载。

VREF

VREF is a reference output pin It is internally compensated Do not connect a decoupling capacitor

译：VREF是参考电压输出引脚。这是内部补偿。不要连接耦合电容器。

电池接口：

BATT++：电池正极

CNT1/CNT2：

EC_SMCA：系统管理总线的时钟信号

EC_SMDA：系统管理总线的数据信号

TS_A：电池温度检测信号

工作原理

EC通过系统管理总线读取到电池参数，如果电池须要充电，EC则发出一个信号FSTCHG即充电开启信号，此信号一路通过三极管开启充电主供电DCIN，另一中供给芯片EN脚作为一个充电开启。

开启充电后，芯片内部产生一个5V线性电压VDD，供给芯片VDDP脚，作为一个上管的驱动电压。开启正常后，芯片本身要产生基准参考电压VREF。到此芯片的供电参数基本完成。

基本电压完成后芯片的CELLS脚产生一个电压，此电压用以设置使用的电芯数量。

EC读取到电池参数后，通过IREF信号供给芯片CHLIM脚用来设定对电池的充电电流。同时发出VREF信号供给芯片VADJ脚用来设定对单个电芯的充电电压。

（EREF信号产生的条件：AEC通过系统管理总线获取到电池参数以确定电池是否应该充电；B芯片通过CSIP、CSIN信号获得适配器电流对数，然后通过ICM脚输出一个电流值参考电压给EC，作为电池充电电流的计算。）

到此各参数设定完成后，充电芯片通过UGATE、LGATE上下管G极产生脉宽调整信号。

此时充电设定参数基本完成。

BOOT产生自举升压电压。

CSOP、CSON信号作为充电电流的检测。

PHASE相位检测运行。

到此充电检测保护系统基本完成。

充电芯片输出稳定持续的充电电流及电压。

EC通过系统管理总线获取电池充电参数，可随时对充电电流及电压及时调整，避免出现过充。并通TS_A对电池的温度进行检测，避免过温。

两个问题楼主要了解， 1。两种类型的万用表内部结构是不一样的，指针式的万用表内部电源正极接黑表笔，电源负极接红表笔。数字式的万用表内部电源正极接红表笔，电源负极接黑表笔。 2。三极管内部由两个PN结构成，PN结加正向电压（P接高电位，N接低电位）呈低阻状态，PN结加反向电压呈高阻状态，基极判别方法就由这个结构决定。 怎样用数字式万用表判别三极管的基极？设3个脚为1、2、3 用红黑表笔任意接三极管的任两个管脚（1与2），发现有低阻的情况（若是高阻就再任意换接两个管脚，直到找到低阻状态，低阻一般是几百到几千欧），一个表笔不动（接1），另一个表笔换接余下的一个管脚（3），若也呈低阻状态，那么刚刚那个表笔不动的那个管脚（1）为基极。若换接完呈高阻状态，那么回到原来呈现低阻的接法，表笔还是接1与2，这时换成2不动，把接1的表笔接到3上，可观察到低阻现象。同样还是不动的为基极。这时我们还可以确定这个三极管的极性你用的是数字万用表的话，刚刚不动的那个表笔是红表笔，这个三极管是NPN管刚刚不动的那个表笔是黑表笔，这个三极管是PNP管如果用的是指针式万用表的话，刚刚不动的那个表笔是红表笔，这个三极管是PNP管刚刚不动的那个表笔是黑表笔，这个三极管是NPN管（管型判别很重要哦！）还可以直接用万用表电阻档判别集电极与发射极，三极管的结构和类型

晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，

从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

三极管的封装形式和管脚识别

常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，

底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。

目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

晶体三极管的电流放大作用

晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。

晶体三极管的三种工作状态

截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。

放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。

饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。

根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。

1�中、小功率三极管的检测

A�已知型号和管脚排列的三极管，可按下述方法来判断其性能好坏

(a)�测量极间电阻。将万用表置于R×100或R×1K挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。

(b)�三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增长很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。

通过用万用表电阻直接测量三极管e－c极之间的电阻方法，可间接估计ICEO的大小，具体方法如下：

万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1K挡，对于PNP管，黑表管接e极，红表笔接c极，对于NPN型三极管，黑表笔接c极，红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。e－c间的阻值越大，说明管子的ICEO越小；反之，所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大。一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动，则表明ICEO很大，管子的性能不稳定。

(c)�测量放大能力(β)。目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的刻度线及其测试插座，可以很方便地测量三极管的放大倍数。先将万用表功能开关拨至�挡，量程开关拨到ADJ位置，把红、黑表笔短接，调整调零旋钮，使万用表指针指示为零，然后将量程开关拨到hFE位置，并使两短接的表笔分开，把被测三极管插入测试插座，即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。

另外：有此型号的中、小功率三极管，生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色点来表明管子的放大倍数β值，其颜色和β值的对应关系如表所示，但要注意，各厂家所用色标并不一定完全相同。

B�检测判别电极

(a)�判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测三极管为PNP型管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管。

(b)�判定集电极c和发射极e。(以PNP为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。

C�判别高频管与低频管

高频管的截止频率大于3MHz，而低频管的截止频率则小于3MHz，一般情况下，二者是不能互换的。

D�在路电压检测判断法

在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测三极管各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断其好坏。

2�大功率晶体三极管的检测

利用万用表检测中、小功率三极管的极性、管型及性能的各种方法，对检测大功率三极管来说基本上适用。但是，由于大功率三极管的工作电流比较大，因而其PN结的面积也较大。PN结较大，其反向饱和电流也必然增大。所以，若像测量中、小功率三极管极间电阻那样，使用万用表的R×1k挡测量，必然测得的电阻值很小，好像极间短路一样，所以通常使用R×10或R×1挡检测大功率三极管。

3�普通达林顿管的检测

用万用表对普通达林顿管的检测包括识别电极、区分PNP和NPN类型、估测放大能力等项内容。因为达林顿管的E－B极之间包含多个发射结，所以应该使用万用表能提供较高电压的R×10K挡进行测量。

4�大功率达林顿管的检测

检测大功率达林顿管的方法与检测普通达林顿管基本相同。但由于大功率达林顿管内部设置了V3、R1、R2等保护和泄放漏电流元件，所以在检测量应将这些元件对测量数据的影响加以区分，以免造成误判。具体可按下述几个步骤进行：

A�用万用表R×10K挡测量B、C之间PN结电阻值，应明显测出具有单向导电性能。正、反向电阻值应有较大差异。

B�在大功率达林顿管B－E之间有两个PN结，并且接有电阻R1和R2。用万用表电阻挡检测时，当正向测量时，测到的阻值是B－E结正向电阻与R1、R2阻值并联的结果；当反向测量时，发射结截止，测出的则是(R1＋R2)电阻之和，大约为几百欧，且阻值固定，不随电阻挡位的变换而改变。但需要注意的是，有些大功率达林顿管在R1、R2、上还并有二极管，此时所测得的则不是(R1＋R2)之和，而是(R1＋R2)与两只二极管正向电阻之和的并联电阻值。

5�带阻尼行输出三极管的检测

将万用表置于R×1挡，通过单独测量带阻尼行输出三极管各电极之间的电阻值，即可判断其是否正常。具体测试原理，方法及步骤如下：

A�将红表笔接E，黑表笔接B，此时相当于测量大功率管B－E结的等效二极管与保护电阻R并联后的阻值，由于等效二极管的正向电阻较小，而保护电阻R的阻值一般也仅有20～50�，所以，二者并联后的阻值也较小；反之，将表笔对调，即红表笔接B，黑表笔接E，则测得的是大功率管B－E结等效二极管的反向电阻值与保护电阻R的并联阻值，由于等效二极管反向电阻值较大，所以，此时测得的阻值即是保护电阻R的值，此值仍然较小。

B�将红表笔接C，黑表笔接B，此时相当于测量管内大功率管B－C结等效二极管的正向电阻，一般测得的阻值也较小；将红、黑表笔对调，即将红表笔接B，黑表笔接C，则相当于测量管内大功率管B－C结等效二极管的反向电阻，测得的阻值通常为无穷大。

C�将红表笔接E，黑表笔接C，相当于测量管内阻尼二极管的反向电阻，测得的阻值一般都较大，约300～∞；将红、黑表笔对调，即红表笔接

D 黑表笔接E，则相当于测量管内阻尼二极管的正向电阻，测得的阻值一般都较小，约几欧至几十欧

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