金蝶k3硬件用什么配置的服务器

金蝶k3硬件用什么配置的服务器

服务器配置建议：
组件

要求
处理器

处理器类型：

Intel Xeon 或 AMD Opteron 或 Intel Itanium 2
处理器速度：

最低：16GHz

推荐：24GHz 或更快处理器
处理器核心总数：

最低：4核心

推荐：8核心（100并发以内或数据库实体10GB以内）

16核心（100~200并发或数据库实体10~20GB）

32核心（200~400并发或数据库实体20~40GB）
内存

物理内存：

最少：4GB

推荐：8GB（100并发以内或数据库实体10GB以内）

16GB（100~200并发或数据库实体10~20GB）

32GB（200~400并发或数据库实体20~40GB）
存储

存储类型：

SCSI 或更快企业级存储，数据盘推荐设置为RAID10，并至少建立两个LUN分别放置生产数据库与临时数据库（TempDB）
存储空间：

最少：40GB 空闲空间

推荐：500GB 或更多空闲空间
网络

网络质量：

速率：100Mbps，推荐与中间层服务器以1000Mbps连接

延时：< 20ms (以大小1024字节的测试数据包返回结果为准)

丢包：< 01% (以大小1024字节的测试数据包返回结果为准)

金蝶k3 需要怎样的服务器

最好是硬件比较过硬的服务器，内存较好。 我公司用的是黛尔

金蝶K3 103的硬件配置

看你客户端及远程登录的用户数量来订。。。
服务器建议配置：
CPU Xeon 26GHZ或以上，建议配置双路CPU
内存 2GB或以上
硬盘 双SCSI 36GB，建议做RAID 1
网卡 双100M
客户端无特殊要求，现在配的一般电脑都能满足。

金蝶K3的服务器如何安装啊

当然首先是要安装一个SQL了
然后用资源盘检测环境 把能安装的都安装上
然后你在用安装盘安装所有的
最后你注册中间层 OK 服务器装好了

国内主流的服务器都用什么硬件配置？

阿里云： Intel Xeon E5-2680 v3（Haswell）CPU、DDR4 内存、20000IOPS随机读写、吞吐量256MB/s；
腾讯云：Intel Xeon E5-2680 v3（Haswell）CPU、DDR4 内存、24000随机IOPS，260MB/s吞吐
小鸟云：Intel Haswell CPU、DDR4内存、50000IOPS随机读写,吞吐量800Mb/s

适合金蝶k3123的服务器型号，价格

你好！
首先
1、贵司必须确认，使用金蝶的站点和用户数。比如全模块，20用户的话，服务器主机只要在1-2万左右的就可以了。超过了，就用3万以上的。
2、服务器品牌，支持选DELL和联想，IBM有点小贵。现在浪潮也很浪，只要你有币就行。至于买那个型号？就看自己喜欢了，反正价格在那里，配置最好就是找个双U的。先上一颗CPU的，到时再加。内存就可以先加一条，一般标配的内存都比较小，加到32-64够用了。
3、RAID 5 。基本上现在的服务器都带了，重点在于硬盘。找三块600G的。公司不大的话，够用了。因为备份可以用移动硬盘来备。有钱的话，就一步到位咯。
型号推荐用DELL的R730，可以根据自己的情况来调整。一步到位的，选高配。10核E5双CPU，双电源，加到64G内存。加32T硬盘。够一般用金蝶K3的公司用了。
公司用户不多的，选低配。8核E5。一样的双CPU，标配32G内存，双电源，硬盘选600G的就够了，便宜一半。
呵。。不知不觉打了这么多字。。。谢谢！希望能对你有帮助。

财务金蝶服务器配置清单

你财务系统一年多少笔凭证？如果不多的话，普通PC就ok了，装个sqlserver搞定

怎么设置金蝶K3的服务器才能远程访问客户端

怎么设置都不可以 必须通过第三方远程发布软件来 *** 作 如果你采用类似虚拟远程的模式 数据就是明码传播了 对企业数据不安全 第三方远程就不会或者概率很小被破译

金蝶K3里面个人邮箱配置发送服务器怎样填写？

1、你的SQL安装选择了甚么认证方式2、你进入：开始\程序\金蝶 K3\金蝶 K3 服务器配置工具\中间层组件注册,先进行组件注册，注册认证模式选择交互模式。3、进入：开始\程序\金蝶 K3\金蝶 K3 工具\远程组件配置工具，把服务器的地址或IP指定1下。 查看原帖>>

服务器硬件配置 公司因卓越软件和金蝶财务软件的需求，现要装备一台服务器。

如果跑财务软件，一般都会用到金蝶，用友之类的中间件，然后后端用sqlserver或者oracle数据库。服务器一般选用双路四核带超线程的处理器，15000转高速硬盘配置好一些，这样跑数据库的时候会比较快。
你可以看看国产品牌正睿的这款双路四核服务器。标配一颗至强E5620四核八线程处理器(24GHz/586GT/12M缓存)，英特尔5500服务器芯片组主板，4G DDR3 REG ECC 1333MHz内存，15000rpm的SAS 300G 企业级硬盘(平均无故障时间可达100万小时以上)，支持 RAID0,1,5,10多种阵列等级，双千兆网卡，性能可以说是非常不错。如果以后随着业务量的增长，觉得性能不够用了，还可以扩展到两颗处理器，达成8颗处理核心，16条处理线程（在任务管理器处能看到16个处理核心的格子- -~很NB），最大支持48GB内存。
产品型号：I2TS1-4589
产品类型：双路四核塔式服务器
处 理 器：Xeon E5620
内 存：4G DDR3 REG ECC
硬 盘：SAS 300G
机 构：塔式
价 格：￥8999
购买即赠 《100元电子正睿券》
银牌服务
全国三年免费上门售后服务，关键部件三年以上免费质保。
建议你把硬盘升级到2个，做raid1阵列保障数据安全，即使坏掉一个硬盘，数据也不会丢失。两个硬盘同时坏掉的可能性就太低啦。这样总价在万元左右，一般企业都可以接受，性能上完全可以满足。
给你推荐的是国产品牌正睿的服务器产品，他们的产品性价比很高，做工很专业，兼容性，质量之类的都有保障，售后也很完善，3年免费质保，3年免费上门售后服务，在业界口碑很不错。

解决方法：
方法一：关闭“为菜单和工具提示使用过渡效果”
1、点击“开始”－－“控制面板”
2、在“控制面板”里面双击“显示”
3、在“显示”属性里面点击“外观”标签页
4、在“外观”标签页里面点击“效果”
5、在“效果”对话框里面，清除“为菜单和工具提示使用过渡效果”前面的复选框接着点击两次“确定”按钮。

这段时间，各大内存颗粒、模组厂商都突然活跃起来，纷纷宣扬各自的DDR4产品进展，虽然DDR4内存标准规范的正式公布是2012年9月底，不过DDR4内存规格原计划是在2011年制定完成，2012年开始投入生产并上市的。所以在之前的很长一段时间，三星、SK海力士、美光等多家DRAM厂商都已经完成了DDR4内存芯片的开发，并计划进行量产，奈何DDR4内存标准一直未见公布，他们也不敢轻举妄动。所以可以说DDR4内存的出现已经是酝酿已久了。

如今DDR4已经欲势待发，只是在等待相应的主板与CPU上市了，那么相比DDR3，都有了哪些比较重要的改进呢下面我就为大家介绍一下吧，欢迎大家参考和学习。

DDR4内存的改进：

1DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状

2DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz

3DDR4内存容量提升明显，可达128GB

4DDR4功耗明显降低，电压达到12V、甚至更低

很多电脑用户可能对于内存的内在改进不会有太多的关注，而外在的变化更容易被人发现，一直一来，内存的金手指都是直线型的，而在DDR4这一代，内存的金手指发生了明显的改变，那就是变得弯曲了，其实一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。

其次，DDR4内存的金手指本身设计有较明显变化。金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到085mm， 笔记本 电脑内存上使用的SO-DIMM DDR4内存有256个触点，SO-DIMM DDR3有204个触点，间距从06毫米缩减到了05毫米。

第三，标准尺寸的DDR4内存在PCB、长度和高度上，也做出了一定调整。由于DDR4芯片封装方式的改变以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB层数相比DDR3更多，而整体尺寸也有了不同的变化，如上图。

频率和带宽提升巨大

DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是512GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70%。在DDR在发展的过程中，一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代，数据预取的增加变得更为困难，所以推出了Bank Group的设计。

Bank Group架构又是怎样的情况具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据，这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升，可以同时读取大量的数据，内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组，包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组，这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新 *** 作，从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group，相当于每次 *** 作16bit的数据，变相地将内存预取值提高到了16n，如果是四个独立的Bank Group，则变相的预取值提高到了32n。

如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话，那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计，对于DDR3内存来说，目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中，访问机制已经改为了点对点技术，这是DDR4整个存储系统的关键性设计。

在DDR3内存上，内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽，但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力，无论你怎么增加内存容量，性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管，但受制于主管道的大小，即便你可以增加注水管来提升容量，但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显，但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了，所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易，但却浪费了内存的位宽。

因此，DDR4抛弃了这样的设计，转而采用点对点总线：内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线，点对点相当于一条主管道只对应一个注水管，这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过，点对点设计的问题也同样明显：一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存，因此如果DDR4内存单条容量不足的话，将很难有效提升系统的内存总量。当然，这难不道开发者，3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。

容量剧增 最高可达128GB

3DS(3-Dimensional Stack，三维堆叠)技术是DDR4内存中最关键的技术之一，它用来增大单颗芯片的容量。

3DS技术最初由美光提出的,它类似于传统的堆叠封装技术，比如手机芯片中的处理器和存储器很多都采用堆叠焊接在主板上以减少体积—堆叠焊接和堆叠封装的差别在于，一个在芯片封装完成后、在PCB板上堆叠;另一个是在芯片封装之前，在芯片内部堆叠。一般来说，在散热和工艺允许的情况下，堆叠封装能够大大降低芯片面积，对产品的小型化是非常有帮助的。在DDR4上，堆叠封装主要用TSV硅穿孔的形式来实现。

所谓硅穿孔，就用激光或蚀刻方式在硅片上钻出小孔，然后填入金属联通孔洞，这样经过硅穿孔的不同硅片之间的信号可以互相传输。在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB，共16颗)，而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。

更低功耗 更低电压

更低的电压：这是每一代DDR进化的必备要素，DDR4已经降至12V

首先来看功耗方面的内容。DDR4内存采用了TCSE ( Temperature Compensated Self-Refresh，温度补偿自刷新，主要用于降低存储芯片在自刷新时消耗的功率)、TCARtemperature Compensated Auto Refresh，温度补偿自动刷新，和T CSE类似)、DBI(Data Bus Inversion，数据总线倒置，用于降低VDDQ电流，降低切换 *** 作)等新技术。

这些技术能够降低DDR4内存在使用中的功耗。当然，作为新一代内存，降低功耗最直接的 方法 是采用更新的制程以及更低的电压。目前DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的15V降低至DDR4的12V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。而随着工艺进步、电压降低以及联合使用多种功耗控制技术的情况下，DDR4的功耗表现将是非常出色的。

人们对于DDR4的期望是相当高的，对于它的上市已经等待已久，不过要知道DDR3花了足足三年的时间才完成对DDR2的取代，而DDR4的野心却是大多了，虽然要到今年底才会正式登场亮相，但是明年就有打算要占据半壁江山，成为新的主流规格。接下来让我们看一下近期关于各个厂商关于DDR4内存的生产发布情况。

支持下一代处理器 威刚DDR4内存曝光

威刚近日正式宣布了自己的首批DDR4内存产品，威刚首发的DDR4并不多，只有标准的服务器型ECC RDIMM，容量4GB、8GB、16GB，额定频率也是2133MHz，电压12，产品编号AD4R2133W4G15、AD4R2133Y8G15、AD4R2133Y16G15。

不过威刚表示，DDR4版本的ECC SO-DIMM、VLP RDIMM、LRDIMM等类型也都正在研发之中，很快就会陆续推出。

这些内存都是供服务器、工作站使用的，威刚也说他们一直在与Intel密切合作，其DDR4内存完全支持下一代服务器平台Haswell-EP Xeon E5-2600 v3。

至于消费级的DDR4内存，谁也没有任何消息，不过Intel将在第三季度推出首个支持DDR4的桌面发烧平台Haswell-E，相信很快就会有新内存跟上。

2400MHz DDR4试产 美光DDR4大规模开工

威刚早些时候正式宣布了他们的首批DDR4内存产品，美光也不甘示弱，宣布其DDR4内存已经大规模投产，并在逐步提高产量。

美光表示，目前量产的是4Gb DDR4内存颗粒，标准频率为2133MHz，并特别与Intel合作，针对将在下半年发布的下一代服务器平台Xeon E5-2600 v3进行了优化。

新平台架构基于22nm Haswell-EP，将取代去年9月份发布的Ivy Bridge-EP E5-2600 v2，主要面向双路服务器领域。

目前已经发布的DDR4内存频率都只有2133MHz，这其实是DDR3也可以轻松达到的高度，自然不能凸显新内存的优势。美光称，2400MHz DDR4正在试产，预计2015年正式投产(也就是说今年别期望啥了)。

美光还透露，他们将陆续推出符合JEDEC DDR4标准的完整产品线，涵盖RDIMM、LRDIMM、VLP RDIMM、UDIMM、SO-DIMM各种规格，ECC也可选有无，到今年第三季度初的时候还会增加NVDIMM。

窄条兼容性强 Virtium发布DDR4内存

DDR4内存终于全面开花结果了。嵌入式存储厂商Virtium今天也推出了他们的DDR4产品，而且非常特殊，首次采用了ULP超小型规格，高度只有区区178毫米(07英寸)。

DDR4 DIMM内存的标准高度为3125毫米，稍稍高于DDR3 3035毫米，而在笔记本上的SO-DIMM高度为30毫米，针对高密度服务器的VLP甚小型规格只有183-187毫米(072-0738英寸)。

ULP则是所有类型中最为小巧的，只有标准型的一半多，适用于空间狭窄的嵌入式领域。

Virtium ULP DDR4内存也是服务器型的URIMM，单条容量4GB(单Rank)、8GB(双Rank)、16GB(双Rank)，标准频率2133MHz，标准电压12V，标准耐受温度范围0～85℃，扩展/工业耐受温度范围-25/-40～95℃，五年质保。

Virtium表示，这种内存已经经过了客户的测试和验证，即将批量供货。

DDR4变活跃 三星加速投产DDR4内存颗粒

这段时间，各大内存颗粒、模组厂商都突然活跃起来，纷纷宣扬各自的DDR4产品进展，而作为DRAM行业领头羊、第一家量产DDR4的三星电子又怎么能保持沉默韩国巨头近日宣布，正在加速投产DDR4内存颗粒、内存条。

和威刚、美光一样，三星也特别提到了Intel将在下半年发布的新一代服务器平台Haswell-EP Xeon E5-2600 v3，称自家的DDR4内存就是为该平台准备的。

三星目前已经量产的DDR4内存都是单Die 4Gb(512MB)的容量，提供x4、x8、x16等不同芯片封装规格，单条容量最高32GB，频率是标准的2133MHz，规格涵盖RDIMM、LPDIMM、ECC SODIMM等等。

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