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UnitedSiC SiC FET用户指南
【导读】本SiC FET用户指南介绍了使用含快速开关SiC器件的RC缓冲电路的实用解决方案和指南。该解决方案经过实验性双脉冲测试(DPT)结果验证。缓冲电路损耗得到精确测量,可协助用户计算缓冲电路电阻
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UnitedSiC宣布ADI的战略投资合作
碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC于3月21日宣布达成与ADI公司(Analog Devices)的战略投资和长期供应协议,具体条款尚未公布。
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UnitedSiC推出业界最佳6mΩ SiC FET
新增的9款器件可实现更高水平的设计灵活性2021年9月14日,美国新泽西州普林斯顿:领先的碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC(联合碳化硅)公司,现已发布业界最佳的750V、6mΩ器件,
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Qorvo®收购领先的碳化硅功率半导体供应商UnitedSiC公司
中国 北京,2021年11月4日——移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo®,Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今天宣布,已收购位于新泽西州普林斯顿领先碳化硅(Si
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理想开关自身会带来挑战
随着我们的产品接近边沿速率超快的理想半导体开关,电压过冲和振铃开始成为问题。适用于SiC FET的简单RC缓冲电路可以解决这些问题,并带来更高的效率增益。若要问功率转换器设计师,他们想要怎样的半导体开