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一文解析刻蚀机和光刻机的原理及区别
什么是光刻机光刻机(Mask Aligner) 又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。Pho
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SiO2在氢氟酸中的刻蚀机理
摘要研究了高频和高频HCI溶液中的不同平衡点,并研究了SiQ的蚀刻反应作为高频溶液中不同物种的函数。基于HF二聚体的存在,建立了一种新的SiO~蚀刻机制模型,SiQ在高频溶液中的溶解是在集成电路制造