中国半导体设备十强

中国半导体设备十强如下：

1、北方华创；

2、中芯国际；

3、兆易创新；

4、卓胜微；

5、紫光国微；

6、韦尔股份；

7、北京君正；

8、华润微；

9、扬杰科技；

10、长电科技。

简介。

1、 北方华创。北方华创科技集团股份有限公司，简称北方华创，股票代码002371，是由北京七星华创电子股份有限公司和北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司战略重组而成，是目前国内集成电路高端工艺装备的先进企业。

北方华创主营半导体装备、真空装备、新能源锂电装备及精密元器件业务，为半导体、新能源、新材料等领域提供解决方案。公司现有四大产业制造基地，营销服务体系覆盖欧、美、亚等全球主要国家和地区。

2、 中芯国际。中芯国际集成电路制造有限公司，港交所股票代码00981，上交所科创板证券代码688981。中芯国际是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国内地技术最先进、配套最完善、规模最大、跨国经营的集成电路制造企业集团。

2022年半导体封装设备制造商排名靠前的有（排名不分先后）：卓兴半导体、ASM、新益昌等。其中，卓兴半导体封装设备我们单位正在用⌄是一款AS4096大尺寸高精度固晶机，具有邦头角度实时校正及压力控制功能，真空漏晶检测等特点，还可以串联/并联，多机连线实现自动化和混打功能，完全可以满足大尺寸高精度的固晶工艺需求，是一款非常靠谱的背光固晶设备。

蓝宝石上两步法生长GaN：

1）高温衬底清洗

在1000℃左右的高温下，将氢气通入反应室，能去除蓝宝石衬底表面的污染物，并在衬底表面形成台阶结构，提高GaN的结晶质量。

2）衬底表面氮化

生长GaN成核前，在低温或高温下预先将NH3通入，令蓝宝石衬底表面氮化，有利于形成成核中心，增加GaN成核层和衬底的粘附，提高GaN的表面形貌，但是长时间的氮化则会导致氮化层由多晶转变成单晶，从而形成密度较高的表面凸状结构。

3）成核层生长，厚度10~100nm

常用的成核层是低温500~650S℃ GaN或低温AlN。低温生长的成核层表面连续而且比较光滑，但是缺陷多。以2D层状模式生长。

4）退火和成核层表面重构

当低温成核层生长完成后，温度上升到外延层生长温度的过程对成核层具有高温退火作用。

5）GaN外延层高温生长和降温

外延层的生长温度对GaN外延的质量影响很大，温度通常为1000~1100℃。高生长温度下抑制GaN分解需高N2分压，生长完成后，往往需要在NH3气氛中降温。

分析认为，在高温GaN生长的初始阶段，以低V/III比提高横向生长速率可以增大3D成核岛的尺寸、减少岛的密度，有利于实现岛间合并，转为准二维的生长模式。

在普及一下MOCVD设备：

MOCVD是1968年由美国洛克威公司的manasevit等人提出制备化台物单晶薄膜的一项新技术，到80年代初得以实用化。从定义上来看，MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。在金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术中，反应气体在升高的温度下在反应器中结合以引起化学相互作用，将材料沉积在基板上。在MOCVD中，将超纯气体注入反应器中并精细计量以将非常薄的原子层沉积到半导体晶片上。含有所需化学元素的有机化合物或金属有机物和氢化物的表面反应为晶体生长创造条件，形成材料和化合物半导体的外延。不同于传统的硅半导体，这些半导体可以包含的组合III族和V族，II族和VI族，IV族或第IV族，V和VI族的元素。

据立木信息咨询消息，全球MOCVD市场的复合年平均增长率将在2021年之前增长到14%，市场规模将从2016年的6.148亿美元增加到2021年的11.628亿美元。

目前，美国的Veeco、德国AIXTRON、日本的NIPPON Sanso和Nissin Electric是起步较早的MOCVD设备供应商。但由于日本对MOCVD设备实行出口限制政策，因此，全球MOCVD市场基本被Veeco和AIXTRON垄断。同时，这两家MOCVD设备公司还一致预测，2022年全球将有250台左右量产型机台专门生长VCSEL所需外延片，达到当前全球LED市场所需MOCVD机台数的1/6左右。

同时也有消息称，现阶段台湾外延厂商在技术上已经具备生产4英寸和6英寸的能力。大陆方面，我国涉足MOCVD设备的企业也在不断增多，其中，中晟光电、广东昭信、中微半导体等企业已经取得了一定成果。

2017年，中微半导体宣布，其MOCVD设备Prismo A7机型出货量已突破100台，迈向重要里程碑，包括三安光电和华灿光电等设备可容纳多达4个反应腔，同时加工136片4吋磊芯片，由于持续接到新订单，中微预计2017年底可望出货约120台MOCVD设备。

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