氮化硼和砷化镓哪个熔点高

砷化镓（galliumarsenide），化学式GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。

砷化镓

砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高

砷化铝（AlAs）是铝元素和砷元素形成的二元化合物，常温常压下为橙色固体。性状：砷化铝的晶系为等轴晶系。熔点是1740°C。密度是3.76g/cm3。砷化镓的熔点是1238°C。砷化镓是重要的化合物半导体材料，外观呈亮灰色，具金属光泽、性脆而硬。常温下比较稳定。

砷化铝（Aluminiumarsenide）是一种半导体材料，它的晶格常数跟砷化镓类似。砷化镓加热到873K时，外表开始生成氧化物形成氧化膜包腹。常温下，砷化镓不与盐酸、硫酸、氢氟酸等反应，但能与浓硝酸反应，也能与热的盐酸和硫酸作用。