美国半导体清洗标准是什么

美国半导体清洗标准。对切割出来的硅片进行打磨、抛光。硅片的表面会有很多大小不一的、各种各样的颗粒，包括金属沫、油污等。这些颗粒是要清洗的内容。

1、加热。假设室温20℃的情况下，用加热器将清洗溶液的温度加热到80℃，这样酸碱在高温下能加快反应，得到更好的清洗效果。

2、使用超声波产生气泡，同样能够达到吸取硅片表面杂质的目的。这种情况是在温度要求不能太高的情况下使用的。

3、震动。为了让杂质不会粘贴在硅片表面上，采用一种晃动的方式，让装有硅片的篮子在清洗溶液中充分接触溶液，增加摩擦，有效去污。

1、确认玻璃器皿和试管上污物的性质、玷污的程度。不同的污物清理方法也不相同，相同的污物，程度不同也可以采用不同处理办法。

2、玻璃器皿上附着着尘土和水溶物。这时应该采用自来水和毛刷来进行清洗。

3、玻璃器皿上附着去氧化剂。可用还原剂来清洗。

4、玻璃器皿上附着油污和有机物质。除容量仪器外，其他玻璃器皿和试管可采用污粉(或洗涤剂)和毛刷清洗，如果玷污程度较深，可用热碱液洗。

5、进行定量分析时，可以用重铬酸钾在浓硫酸中的饱和溶液（洗液）清洗容量仪器。使用洗液前最好先用水或去污粉将容器洗一下，把容器内的水去掉，然后再放入洗液。洗好后用水洗去洗涤剂，并用蒸馏水再洗涤三次。

半导体材料表面的污染物主要有二类：有机污染物和金属离子污染。一号液主要是清除有机污染物如油脂等的，二号液则主要清除金属离子污染。只有先清除材料表面覆盖的油污，才能彻底清除油污下面的离子污染物。所以应该先用一号液清洗，然后再用二号液清洗。

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