中国锂电可以成功,为什么半导体不行

中国推动数字领域创新的首要举措之一是国际数字丝绸之路（DSR），它是“一带一路”倡议的组成部分。 通过 DSR，中国将拓展国外市场，确保国外供应商的持续供给，和进入海外消费市场，并建立信息和通信技术的技术标准。 如果成功，DSR 将为中国的经济创新提供稳定的需求， 这正是政府追求的目标。 然而，DSR 及其充满希望的创新取决于中国在硬件方面的成功。 尽管中国面临着国外的竞争，但中国经济创新的最大障碍是国内。 中国成为 5G 技术的领导者，但其创新水平落后于其他领域。 中国的主要创新挑战是缺乏高价值数字硬件的本土能力，尤其是半导体逻辑芯片。

2010-2020年，中国试图整合半导体产业，鼓励国内半导体企业共享研发，让外国减少出口管制，从国外获得高技能人才。然而，到 2022 年初，中国仍然没有设计或制造大量价值最高的半导体逻辑芯片（中国市场份额不到 1%，中国在全球市场中的份额不到 6%）。但这只是问题的一部分。两个最高价值的半导体逻辑芯片是中央处理单元 (CPU) 和图形处理单元 (GPU)。正如乔治卡尔霍恩所指出的，在这两个类别中，中国生产的芯片不仅质量低劣，而且缺乏竞争力，即使在中国也是如此。

1.功率分立器件产量和产值持续上升功率半导体分立器件是指额定电流不小于1A或额定功率不小于1W的半导体分立器件。2015-2020年，我国功率半导体分立器件产量和产值呈持续上升趋势。2020年，我国功率半导体分立器件产量4885亿，较2019年增长8%。2020年，我国功率半导体分立器件产值达到165.6亿元，较2019年增长3%。2.MOSFET产品优势突出，需求量大功率半导体分立器件可以进一步分为三类:功率二极管、功率晶体管、功率晶闸管，其中比特、GTR、MOSFET、IGBT都属于功率晶体管范畴，而SCR、g to、IGCT属于功率晶闸管范畴。在功率晶体管中，MOSFET和IGBT属于全控分立器件。根据不同的应用特点，MOSFET还包括平面功率MOSFET、沟槽功率MOSFET、超结功率MOSFET和屏蔽栅功率MOSFET。MOSFET在分立功率半导体器件中排名第一，占2019年市场规模的36.3%，其次是二极管、其他三极管(包括IGBT)和晶闸管，市场份额分别为32.2%、26.0%和5.5%。MOSFET具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、所需驱动功率低、驱动电路简单、工作频率高、无二次击穿问题等优点。该功率二极管结构和原理简单，工作可靠。基于产品本身的特点和优势，功率分立器件市场中，MOSFET和二极管占据了近70%的市场规模。基于MOSFET下游应用的快速发展，MOSFET销售额的市场规模从2015年的37亿美元增长到2019年的53亿美元，年复合增长率约为9.2%。

我认为中国半导体产业并没有被逼到墙角。

要知道在科技发展领域，半导体产业必然要发挥出相当重要的作用，如果不加强对于半导体产业的支持，那么必定会让自身的科技发展受制于人。

一、中国的半导体产业并没有被逼到墙角。

由于美国为了维持自己的经济地位，一直在不断打压其他国家的半导体产业，因为只有将半导体产业牢牢控制在自己的手中，美国才能够拥有更高的话语权和地位。正是由于看到了中国半导体产业对于美国的威胁，美国才会加强对于中国半导体产业的打压，不过就算如此，中国的半导体产业也并没有被逼到墙角。

二、中国半导体产业并没有被逼到墙角，是因为中国已经在大力发展半导体产业。

在半导体产业领域，中国确实存在着落后的问题，不过随着官方给予了大量的支持，中国半导体产业的发展也迎来了飞速提升，只要中国半导体产业能够继续保持目前的发展趋势，中国半导体产业就能够迎来新生，甚至有可能会成为行业的标杆。在中国半导体产业能够保持这么良好的势头情况下，美国自然无法将中国半导体产业逼到墙角。

三、中国半导体产业并没有被逼到墙角，是因为中国已经掌握了很多的技术专利。

如果在半导体产业当中不能够掌握大量的技术专利，那么必定会让自己的生产成本以及研发成本出现无法降低的情况，而中国半导体在遭受到美国打压之后，不断发展自身的技术力量。正是由于这样的原因，中国半导体产业才能够掌握很多的技术专利，在这种情况下，中国半导体产业自然无法被美国逼到墙角之中。

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