关于半导体，以下说法错误的是（　　）A．半导体的导电性能受温度、光照等外界因素的影响远比导体、绝缘

A、B、半导体的导电性能受温度、光照等外界因素的影响远比导体、绝缘体大得多，太阳电池和光敏电阻就是利用半导体这一特性制成的．故A、B不符合题意．

C、盐水的浓度对导电性能有很大的影响，因为盐水导电，靠的是盐水中的自由离子，调节盐水的浓度就使盐水的导电性改变，但不会变为半导体，因为常见的半导体材料是特殊的材料，像：硅、锗等．故C符合题意．

D、集成电路是用半导体材料制作的，比如电脑、电视机等电路中都可以找到大量的半导体元件．故D不符合题意．

故选C．

1.根据电阻率查表得到掺杂浓度NA=2X10^16 CM^(-3)

2.根据掺杂浓度查表得到半导体的功函数Ws=5.00eV

3.为了得到肖特基结，要求P型半导体满足Wm<Ws,所以应选择Al，作为金属构成肖特基结。

4.金属一侧的势垒高度q$ps=X+Eg-Wm=4.05+1.124-4.20=0.974eV

5.半导体一侧的势垒高度qVD=|Wm-Ws|=|4.20-5.00|=0.80eV

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