求推荐半导体器件、模以电路、数字电路、单片机的优秀图书，最好是国外的，谢谢！

1.模拟CMOS集成电路设计(影印版) [平装]

~ 罗扎 (作者)

2.模拟电子技术/国外电子与通信教材系列

【作者】：(美) 博伊尔斯塔德

【出版社】： 电子工业出版社

【出版日期】：2008-06-01

3.模拟电子技术(英文版)/国外电子与通信教材系列

【作者】：(美) 博伊斯坦

【出版社】： 电子工业出版社

【出版日期】：2007-09-01

4.电路基础

作者: Charles K.Alexander.Matthew N.O.Sadiku

出版社: 清华大学出版社

出版年: 2000-12

5. Semiconductor physics :an introduction/半导体物理简介/Karlheinz Seeger./8th ed.Springer/c2002.这是本书的第八版，是一本重点介绍半导体“物理”的教材。主要面向实验固体物理学领域的学生，读者应具备数学方面的基本知识。教师可将本书作为半导体物理和物理电子学领域的研究生课程教材使用，并可免费获取本书问题的答案手册。

6. Electronic and optoelectronic properties of semiconductor structures/半导体结构的电学和光电性质/Jasprit Singh.Cambridge University Press/c2003.本书利用精选的例题阐述重要的概念，并包含250幅图表和200道练习题。全书贯穿了很多应用实例，来加强物理原理和实际器件之间的联系。适合工程和物理类学生和专业人员阅读。教师可获得答案手册和用于讲稿的视图。

7.High-speed heterostructure devices :from device concepts to circuit modeling/高速异质结构器件：从器件概念到电路建模/Patrick Roblin and Hans Rohdin.Cambridge University Press/c2002.本书最初为俄亥俄州立大学研究生课程的讲义，后来增加了配套的练习。现作为高速半导体器件方面的一本教科书，适合相关专业的研究生及工程师阅读使用。读者应先修过半导体器件方面的课程，课程深度与Streetman的《Solid State Electronic devices》相当，但并不要求对量子力学、热力学、能带结构、声子等知识有深入的了解。

8.Fundamentals of III-V devices :HBTs, MESFETs, and HEMTs/三五族器件基础：HBTs，MESFETs，和HEMTs/William LiuWiley/c1999

本书以简单易懂、系统连贯的方式全面介绍三五族的半导体器件，书中包括55个实例，说明给定应用中的器件设计根据。每章末的练习题，便于学生理解器件概念和设计根据。附录列出了不同材料和器件的参数。

9.《模拟和数字电子电路基础》 作者Anant Agarwal

本书通过介绍如何从麦克斯韦方程利用一系列简化假设直接得到集总电路抽象，在电气工程和物理间建立了清晰的联系。 本书中始终使用抽象的概念，以统一在模拟和数字设计中所进行的工程简化。 本书更为强调数字领域。但我们对数字系统的处理却强调其模拟方面。从开关、电源、电阻器和MOSFET开始，介绍KCL、KVL应用等内容。本书表明，数字特性和模拟特性可通过关注元件特性的不同区域而获得。

《半导体器件物理》由浅入深、系统地介绍了常用半导体器件的工作原理和工作特性。

为便于读者自学和参考，《半导体器件物理》首先介绍了学习半导体器件必需的半导体材料和半导体物理的基本知识；然后重点论述了PN结、双极性三极管、MOS场效应管和结型场效应管的各项性能指标参数及其与半导体材料参数、工艺参数及器件几何结构参数的关系：最后简要讲述了常用的一些其他半导体器件(如功率MOSFET、IGBT和光电器件)的原理及应用。

本征载流子就是本征半导体中的载流子，即电子和空穴，即不是由掺杂所产生出来的载流子。也就是说，本征载流子是由热激发——本征激发所产生出来的，即是价电子从价带跃迁到导带而产生出来的；它们是成对产生的，所以电子和空穴的浓度始终相等。 本征半导体，从物理本质上来说，也就是两种载流子数量相等、都对导电起同样大小的半导体。因此，未掺杂的半导体是本征半导体，但是掺有杂质的半导体在一定条件下也可能成为本征半导体（只要两种载流子的浓度相等）。 对于掺有杂质的n型或p型半导体，其中的多数载流子主要就是由杂质电离所提供，而其中的少数载流子则是由本征激发所产生的。因此，在杂质全电离情况下，多数载流子浓度基本上与温度无关，但少数载流子则随着温度将指数式增大。

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