北京都有哪些日企，尤其是化学类的和需要专利代理的。或者和日本关系密切的事务所或公司也可以。最好能把

1 奥林巴斯（中国）有限公司的事业内容奥林巴斯集团于2000年成立了奥林巴斯(中国)投资有限公司，为奥林巴斯在中国投资的公司提供各项咨询服务。奥林巴斯映像事业在以奥林巴斯（中国）投资有限公司为核心的伞型经营体制下，不断加大对以华南为重心的生产基地的技术与资金投入，强化以北京为中心的投资经营管理功能，同时构筑了以上海为中心辐射全国的市场营销及售后服务网络。

公司简介奥林巴斯（中国）有限公司 公司简介

公司类型： 日本独资 成立时间： 2006/7 注册资金： 非公开

员工人数： 200 法人代表： 横尾昭信

2 瑞萨半导体(北京)有限公司的事业内容瑞萨半导体(北京)有限公司成立于1996年，是专门从事生产半导体产品的企业。

我公司生产的半导体产品在各种领域被广泛使用，存在于大家日常生活相关的所有时间、地点、场所中。比如说电脑、汽车、手机、电视等等，任何与生活息息相关的产品被广泛使用。

公司一方面与日本、中国国内的瑞萨相关设计公司、技术公司、销售公司相互合作，另一方面与中国国内的先进技术公司、研究机构相协作，应世界各地广大消费者的要求为提供相应的产品而努力。为了半导体生产公司的最大使命向全世界提供高品质，低成本，短工期的半导体产品。

公司简介瑞萨半导体(北京)有限公司 公司简介

公司类型： 日本独资 成立时间： 1996/3 注册资金：

员工人数： 法人代表： 立川透 年销售额：

蓝宝石上两步法生长GaN：

1）高温衬底清洗

在1000℃左右的高温下，将氢气通入反应室，能去除蓝宝石衬底表面的污染物，并在衬底表面形成台阶结构，提高GaN的结晶质量。

2）衬底表面氮化

生长GaN成核前，在低温或高温下预先将NH3通入，令蓝宝石衬底表面氮化，有利于形成成核中心，增加GaN成核层和衬底的粘附，提高GaN的表面形貌，但是长时间的氮化则会导致氮化层由多晶转变成单晶，从而形成密度较高的表面凸状结构。

3）成核层生长，厚度10~100nm

常用的成核层是低温500~650S℃ GaN或低温AlN。低温生长的成核层表面连续而且比较光滑，但是缺陷多。以2D层状模式生长。

4）退火和成核层表面重构

当低温成核层生长完成后，温度上升到外延层生长温度的过程对成核层具有高温退火作用。

5）GaN外延层高温生长和降温

外延层的生长温度对GaN外延的质量影响很大，温度通常为1000~1100℃。高生长温度下抑制GaN分解需高N2分压，生长完成后，往往需要在NH3气氛中降温。

分析认为，在高温GaN生长的初始阶段，以低V/III比提高横向生长速率可以增大3D成核岛的尺寸、减少岛的密度，有利于实现岛间合并，转为准二维的生长模式。

在普及一下MOCVD设备：

MOCVD是1968年由美国洛克威公司的manasevit等人提出制备化台物单晶薄膜的一项新技术，到80年代初得以实用化。从定义上来看，MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。在金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术中，反应气体在升高的温度下在反应器中结合以引起化学相互作用，将材料沉积在基板上。在MOCVD中，将超纯气体注入反应器中并精细计量以将非常薄的原子层沉积到半导体晶片上。含有所需化学元素的有机化合物或金属有机物和氢化物的表面反应为晶体生长创造条件，形成材料和化合物半导体的外延。不同于传统的硅半导体，这些半导体可以包含的组合III族和V族，II族和VI族，IV族或第IV族，V和VI族的元素。

据立木信息咨询消息，全球MOCVD市场的复合年平均增长率将在2021年之前增长到14%，市场规模将从2016年的6.148亿美元增加到2021年的11.628亿美元。

目前，美国的Veeco、德国AIXTRON、日本的NIPPON Sanso和Nissin Electric是起步较早的MOCVD设备供应商。但由于日本对MOCVD设备实行出口限制政策，因此，全球MOCVD市场基本被Veeco和AIXTRON垄断。同时，这两家MOCVD设备公司还一致预测，2022年全球将有250台左右量产型机台专门生长VCSEL所需外延片，达到当前全球LED市场所需MOCVD机台数的1/6左右。

同时也有消息称，现阶段台湾外延厂商在技术上已经具备生产4英寸和6英寸的能力。大陆方面，我国涉足MOCVD设备的企业也在不断增多，其中，中晟光电、广东昭信、中微半导体等企业已经取得了一定成果。

2017年，中微半导体宣布，其MOCVD设备Prismo A7机型出货量已突破100台，迈向重要里程碑，包括三安光电和华灿光电等设备可容纳多达4个反应腔，同时加工136片4吋磊芯片，由于持续接到新订单，中微预计2017年底可望出货约120台MOCVD设备。

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