报导中引述泉芯的员工透露，“公司处境艰难，4 月起已开始停发薪资，逼迫员工离职”，工程也陆续停摆。报导另引述在周边其他项目施工的承包商观察，“这个项目建设期间多次更换工程总包，这在建筑行业十分罕见，显然该项目长期存在着巨大风险”。
根据资料显示，泉芯济南项目总投资高达598亿元，计划建设12英寸12nm/7nm工艺节点的晶圆制造线。项目于2019年第一季度悄悄开工建设，工地位于济南临空经济区，用地面积39公顷。总投资额为590亿人民币项目分两期建设，一期投资230亿，建设月产能7000片的12英寸12nm 生产线；二期投资260亿元，扩增月产能23000片12纳米逻辑芯片；第三期投资100亿元，增加1万片的7nm产能。
在股权结构上，根据公开资料显示，四大股东分别为济南集芯产业发展投资合伙企业（有限合伙）、逸芯集成技术（珠海）有限公司、济南高新控股集团有限公司和济南产业发展投资基金合伙企业（有限合伙），后两者均隶属济南国资委。
根据这项专案环评报告指出，泉芯当时夸下海口将建设12nm厂，年产48 万片晶圆和2,400 件光罩。而在济南政府大力协助之下，厂区于2019 年第一季开始动工。但如今工程停摆、计划遣散员工，加上日前订购了大量设备并已支付约17 亿元的订金，都成了济南政府的烫手山芋。
报导引述知情人士指出，这17 亿的设备中包含3 台艾司摩尔（ASML）的光刻机。目前所有订购的设备尚未完成交付，如果泉芯无法支付尾款而毁约，设备商将从订金中扣除约17% 的违约金。
特别值得注意的是，持有济南泉芯约41.18%股权的逸芯集成背后的控股股东曹山，其曾是已经烂尾了的武汉弘芯的幕后控制人。根据资料显示，武汉弘芯的控股股东曾是北京光量蓝图。而曹山曾是北京光量蓝图的大股东及法人代表，只不过，曹山在2019年1月退出了北京光量蓝图，不再担任法人代表、执行董事。
而根据集微网的报道，“曹山”其实都是安徽典创电子董事长鲍恩保的化名。而鲍恩保为了给弘芯和泉芯组建核心团队，频繁往返于大陆和台湾之间。
他接受集微网采访时强调，“由于核心团队台籍偏多，且竞业限制协议期内不便进行工商登记，因此只能通过劳动合同约定，待企业正常运转并产生利润之后，再给竞业协议期满的台籍骨干分配股权。”
而在济南泉芯的400多名员工中，其中有180名是台籍工程师，其平均月薪在人民币5 万至10 万元之间。
鲍恩保称，由于和弘芯高层的路线不同，2018 年11 月便离开了弘芯，并将部分核心人员带往济南，参与成立泉芯。至于停止支付薪资一事，则强调并非资金链断裂，目前账上仍有6 至7 亿元存款。
不过，根据工商资料显示，济南泉芯虽然注册资本高达59.5亿元，但是实缴资本最开始却只有5.1亿元，随后才开始陆续补充到32.37亿元。而根据此前报道称，这部分的资金都是由济南国资委旗下的两家子公司出资，化名“曹山”的鲍恩保控制的逸芯集成则一分未出。这与当时武汉弘芯 *** 盘的手法如出一辙。
不同于第一代半导体材料硅基的发展在国内正面临一系列掣肘，作为化合物半导体材料的碳化硅器件正逐渐迎来商用加速期。特斯拉率先让碳化硅器件上车起到了关键推动作用。多方机构都预测，在未来5-10年间，碳化硅器件的应用增长点会陆续涌现，包括新能源 汽车 、储能、光伏风能发电、5G通信等领域。
碳化硅商用落地的典型代表就是特斯拉，在其推动下，碳化硅的应用进度和市场空间都打开了想象力。
基本半导体董事长汪之涵在前述论坛演讲中指出，从1982年IGBT发明到现在，其仍然是功率半导体器件中最为重要的一个，在各种电力电子应用中发挥着巨大作用。
不过在过去几年时间里，人们欣喜地发现，在很多高端应用中，碳化硅MOSFET已经逐渐取代硅基IGBT。“这个取代的过程和势头，似乎比大家前几年的判断来得更早更快，所以我们认为，碳化硅成为功率半导体主流的时代似乎已经来到。”他续称，虽然目前碳化硅器件的成本比硅基IGBT要高不少，但从全生命周期成本来看，通过使用碳化硅器件，现在的账已经能算过来了。
根据Yole研判，到2027年预计全球碳化硅芯片市场规模约63亿美元，其中接近80%的市场（也即约50亿美元）来自于新能源 汽车 。汪之涵指出，根据其团队测算，随着碳化硅产品成本降低，到2027年，一辆车上不同部件使用碳化硅的价格在2000-3000元，那么届时全球将有一千万辆车使用碳化硅器件，实际上这个数量将只多不少。
芯粤能半导体CTO相奇则指出，“双碳”战略正开启新能源转换的黄金时代，其中电能转换推动需要功率器件，碳化硅器件在其中优势尽显。
根据机构统计，到2030年，中国大陆总用电量将达到10.5万亿度/年，若能用碳化硅功率器件替代传统硅基器件，可节电万亿度，约等于10座三峡大坝。
从应用端来看，新能源 汽车 、光伏和储能、航天、工业等领域牵引下，全球碳化硅市场的规模正快速成长，预计2019-2025年的复合年均增长率为30%。
山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆教授徐现刚也指出，碳化硅单晶应用主要为两个方面：一是电力电子碳化硅器件领域，在导电型衬底之上做碳化硅同质外延，如新能源 汽车 、高铁运输、智能电网的逆变器等器件上应用；二是把碳化硅作为衬底材料，生长氮化镓材料的异质外延，在高频大功率微波电子器件里获得了较大应用，也在雷达、通信系统等方面有应用。
不过，目前国内在碳化硅功率器件和衬底市场依然有较大发展空间。据调研机构Yole统计，无论是碳化硅器件销售额，还是碳化硅导电型衬底市场视角来看，占据主要份额的都为来自美国、欧洲和日本的公司，部分情况下甚至有垄断态势。
一种观点认为，在关键碳化硅衬底技术方面，国内和海外厂商的差距大约是2-3年，但随着集中力量推进研发，这个时间差距有望进一步缩短。
徐现刚在演讲中指出，从衬底发展来看，海外厂商在十年前突破了6英寸衬底技术，目前已稳定导入产业；并在国内“十三五”期间突破了8英寸衬底量产的关键难题，正快速导入量产进程。
国内厂商近些年来也在积蓄经验后快速推动研发落地。“针对碳化硅单晶的研究前期，我们亟需和下游密切配合。在研发2-3英寸单晶时，很难找到电力电子大规模应用，所以我们找到了光电子应用；在6英寸和8英寸单晶上，我们希望和半导体界以及电力电子行业密切配合，也做好了准备。产业角度的需求已经非常旺盛；技术路线上，碳化硅外延的整个产业链不存在被制约发展的问题，所以我认为，8英寸时代真正到来了。”
他续称，就像最开始一种观点认为硅基不用那么着急被碳化硅器件替代一样。特斯拉作为第一个吃螃蟹的人成功之后，大家都开始积极跟进，才有了现在被认为行业将爆发式增长的预期。“所以我想碳化硅晶圆尺寸发展也一样，成熟的8英寸衬底推出后，必然会让成本降低。当然先要面对研发、材料良率低等现阶段难题，但实际上随着技术进步，这也是之前6英寸研发过程中都遇到过的情况。”
还有一个不可忽视的问题是各地的积极建设。一些行业人士指出，在未来十年，整个碳化硅行业面临着巨大机会，同时挑战也很大。目前国内多个省份和城市已经开始推动碳化硅材料和器件等环节的大规模项目落地，这一方面意味着各地都在认可碳化硅的发展未来并积极促进，但另一方面，大规模建设后，在未来几年可能也会面临行业整合过程。
同时，目前南沙在碳化硅领域的产业链已经部署相对完善。“我们称为‘聚沙成塔’，打开地图看会发现，南沙的确是一家一家公司拼图一样拼出了一个产业园，从南砂晶圆开始不断延伸产业链。因此我们认为，南沙发展半导体产业有其独特的思路和节奏。”
更多内容请下载21 财经 APP
欢迎分享，转载请注明来源：内存溢出
微信扫一扫
支付宝扫一扫
评论列表（0条）