7nm将成台积电力压英特尔主战场

　　安谋（ARM）与台积电共同宣布一项为期多年的协议，针对7奈米FinFET制程技术进行合作，包括支援未来低功耗、高效能运算系统单晶片（SoC）的设计解决方案。 这项协议延续先前采用ARM ArTIsan 基础实体IP之16奈米与10奈米FinFET的合作。

　　事实上，以台积电目前先进制程之生产时程来看，属于同一世代的10奈米、7奈米进度已经追上，甚至超越竞争对手英特尔（Intel）。

　　台积电先进制程10奈米、7奈米、5奈米等部分，所有制程皆on schedule10奈米制程2016第1季完成产品认证，而10奈米/7奈米应用非常广泛，如手机、高阶networking、Gaming、wearable等，具有快速的传输效率及低耗电量，而7奈米预计2018年第1季开始量产。

　　据了解，英特尔估计在2018年确定10奈米量产，7奈米估计要到2019年，而三星电子（Samsung Electronics）目前10奈米进度较不确定，台积电在10/7奈米世代已经展现雄心，并且展开多方客户布局。

　　部分相关下游业者表示，未必会使用10奈米产品，如20奈米为16奈米制程之过渡期产品，反而7奈米才是下一世代锁定的主力目标，而此次台积电与ARM的长期合约订立，也确立7奈米未来将成为国际大厂的主战场。

　　据台积电于先前公开法人说明会之说法，7奈米制程可在2018年第1季提供，而依照台积电之计划，5奈米将会在7奈米制程的2年后推出，约在2020年上半可见端倪。