魔兽世界的退出工会命令

我来回答你的问题。
1你索列举的时序，每个位置的数据代表的是CL-tRCD-tRP-tRAS。
CL是CAS
Latency的简称，也就是内存CAS延迟时间。简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。
tRCD意思是RAS
to
CAS
Delay，是内存行地址传输到列地址的延迟时间（RAS至CAS延迟)。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被激发)和CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的，存在着延迟。
tRP意思是是RAS
Precharge
Delay，意思是内存行地址选通脉冲预充电时间。
tRAS意思是Row
Active
Delay。tRAS在内存规范的解释是Active
to
Precharge
Delay（行有效至行预充电时间）。是指从收到一个请求后到初始化RAS（行地址选通脉冲）真正开始接受数据的间隔时间。
你可以看到上面的解释，基本都是有关于延迟的，只有一个是trp是脉冲预充电时间，不管是延迟还是预充电时间，
都是越小越好，所以你列举的时序数字是越小越好。而相同频率，自然也是时序越小越好。
2，回答这个问题之前你已经知道时序是越小越好，那么内存的频率也当然是越高越好，频率越高传输的数据就越快，而时序（延迟）也是时间越短反应越迅速。但是理论来说，频率越高时序也就越高，延迟也就越大。内存厂家为了稳定，只能取一个中间值，不至于太高影响性能，也不至于太低影响稳定性。给你打个比方，一辆动车和一辆跑车。动车延迟大，但是它速度快（频率），稳定，但是启动和停车需要相当长的距离（延迟）。而跑车可以在很短的时间内达到最高速度（频率），启动和停车都需要很短的时间（延迟）并且反应灵敏。你说是快的好还是灵敏的好？现在DDR3
1600的一般时序是11-11-11-28，而一般性能比较高，DDR3
1600时序会在9-9-9-24左右。
3，时序和内存的容量大小无关，和内存的频率有关。
4，现在的内存频率都比较高，目前主流频率都1600了，单通道带宽可以达到125G/S，双通道可以达到25G/S。单通道升级成双通道在性能上会有一些提升，但是当超过双通道之后带宽已经明显不是瓶颈了，已经没有多大的性能上的提升了。所以双通道是目前的首选，再多通道提升也很小。除非是应用再带宽需求更大的电脑上或者配置高的电脑上，比如用来做运算的电脑或者服务器用电脑都需要很高的CPU性能和很高带宽。一般来说普通的家用电脑双通道足以。

内存时序 一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。
该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写 *** 作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。
RAS# to CAS# Delay(tRCD)
可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新 *** 作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。
如果的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。
Min RAS# Active Timing(tRAS)
可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。
该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS# Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般最好设在5－10之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。
如果使用DFI的主板，则tRAS值建议使用00，或者5-10之间的值。
Row Precharge Timing(tRP)
可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。
tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写 *** 作。对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。
如果使用DFI的主板，则tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。
Row Cycle Time(tRC)
可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。
Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。
其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，应该明白的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。
Write Recovery Time (tWD)，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写 *** 作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电 *** 作，会导致数据的丢失及损坏。

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