半导体器件简介及详细资料

简介

半导体器件(semiconductor device)通常，利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极体，晶体二极体的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型代表是各种电晶体(又称晶体三极体)。电晶体又可以分为双极型电晶体和场效应电晶体两 类。根据用途的不同，电晶体可分为功率电晶体微波电晶体和低噪声电晶体。除了作为放大、振荡、开关用的 一般电晶体外，还有一些特殊用途的电晶体，如光电晶体、磁敏电晶体，场效应感测器等。这些器件既能把一些 环境因素的信息转换为电信号，又有一般电晶体的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结电晶体可用于产生锯齿波，可控矽可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存 储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波 通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体 器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的套用 。

分类 晶体二极体

晶体二极体的基本结构是由一块 P型半导体和一块N型半导体结合在一起形成一个 PN结。在PN结的交界面处，由于P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子要相互向对方扩散而形成一个具有空间电荷的偶极层。这偶极层阻止了空穴和电子的继续扩散而使PN结达到平衡状态。当PN结的P端(P型半导体那边)接电源的正极而另一端接负极时，空穴和电子都向偶极层流动而使偶极层变薄，电流很快上升。如果把电源的方向反过来接，则空穴和电子都背离偶极层流动而使偶极层变厚，同时电流被限制在一个很小的饱和值内(称反向饱和电流)。因此，PN结具有单向导电性。此外，PN结的偶极层还起一个电容的作用，这电容随着外加电压的变化而变化。在偶极层内部电场很强。当外加反向电压达到一定阈值时，偶极层内部会发生雪崩击穿而使电流突然增加几个数量级。利用PN结的这些特性在各种套用领域内制成的二极体有:整流二极体、检波二极体、变频二极体、变容二极体、开关二极体、稳压二极体(曾讷二极体)、崩越二极体(碰撞雪崩渡越二极体)和俘越二极体(俘获电浆雪崩渡越时间二极体)等。此外，还有利用PN结特殊效应的隧道二极体，以及没有PN结的肖脱基二极体和耿氏二极体等。

双极型电晶体

它是由两个PN结构成，其中一个PN结称为发射结，另一个称为集电结。两个结之间的一薄层半导体材料称为基区。接在发射结一端和集电结一端的两个电极分别称为发射极和集电极。接在基区上的电极称为基极。在套用时，发射结处于正向偏置，集电极处于反向偏置。通过发射结的电流使大量的少数载流子注入到基区里，这些少数载流子靠扩散迁移到集电结而形成集电极电流，只有极少量的少数载流子在基区内复合而形成基极电流。集电极电流与基极电流之比称为共发射极电流放大系数?。在共发射极电路中，微小的基极电流变化可以控制很大的集电极电流变化，这就是双极型电晶体的电流放大效应。双极型电晶体可分为NPN型和PNP型两类。

场效应电晶体

它依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻(简称场效应)，使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。

根据栅的结构,场效应电晶体可以分为三种:

①结型场效应管(用PN结构成栅极)

②MOS场效应管(用金属-氧化物-半导体构成栅极,见金属-绝缘体-半导体系统)

③MES场效应管(用金属与半导体接触构成栅极)其中MOS场效应管使用最广泛。尤其在大规模积体电路的发展中,MOS大规模积体电路具有特殊的优越性。MES场效应管一般用在GaAs微波电晶体上。

在MOS器件的基础上,又发展出一种电荷耦合器件 (CCD)，它是以半导体表面附近存储的电荷作为信息，控制表面附近的势阱使电荷在表面附近向某一方向转移。这种器件通常可以用作延迟线和存储器等配上光电二极体列阵，可用作摄像管。

命名方法

中国半导体器件型号命名方法

半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、雷射器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:

第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极体、3-三极体

第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极体时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型矽材料、D-P型矽材料。表示三极体时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型矽材料、D-NPN型矽材料。

第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-雷射器件。

第四部分:用数字表示序号

第五部分:用汉语拼音字母表示规格号

例如:3DG18表示NPN型矽材料高频三极体

日本半导体分立器件型号命名方法

日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下:

第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极体三极体及上述器件的组合管、1-二极体、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控矽、G-N控制极可控矽、H-N基极单结电晶体、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控矽。

第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从"11"开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号数字越大，越是产品。

第五部分: 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

美国半导体分立器件型号命名方法

美国电晶体或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:

第一部分:用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品。

第二部分:用数字表示pn结数目。1-二极体、2=三极体、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。

第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。

第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:JAN2N3251A表示PNP矽高频小功率开关三极体，JAN-军级、2-三极体、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。

国际电子联合会半导体器件型号命名方法

德国、法国、义大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下:

第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁频宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如矽、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料

第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极体、B-变容二极体、C-低频小功率三极体、D-低频大功率三极体、E-隧道二极体、F-高频小功率三极体、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极体、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极体、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极体、Y-整流二极体、Z-稳压二极体。

第三部分:用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。

第四部分:用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。

除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下:

1、稳压二极体型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

2、整流二极体后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。

3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。

如:BDX51-表示NPN矽低频大功率三极体，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极体。

积体电路

把晶体二极体、三极体以及电阻电容都制作在同一块矽晶片上，称为积体电路。一块矽晶片上集成的元件数小于 100个的称为小规模积体电路，从 100个元件到1000 个元件的称为中规模积体电路，从1000 个元件到100000 个元件的称为大规模积体电路，100000 个元件以上的称为超大规模积体电路。积体电路是当前发展计算机所必需的基础电子器件。许多工业先进国家都十分重视积体电路工业的发展。积体电路的集成度以每年增加一倍的速度在增长。每个晶片上集成256千位的MOS随机存储器已研制成功，正在向1兆位 MOS随机存储器探索。

光电器件 光电探测器

光电探测器的功能是把微弱的光信号转换成电信号，然后经过放大器将电信号放大，从而达到检测光信号的目的。光敏电阻是最早发展的一种光电探测器。它利用了半导体受光照后电阻变小的效应。此外，光电二极体、光电池都可以用作光电探测元件。十分微弱的光信号，可以用雪崩光电二极体来探测。它是把一个PN结偏置在接近雪崩的偏压下，微弱光信号所激发的少量载流子通过接近雪崩的强场区，由于碰撞电离而数量倍增，因而得到一个较大的电信号。除了光电探测器外，还有与它类似的用半导体制成的粒子探测器。

半导体发光二极体

半导体发光二极体的结构是一个PN结，它正向通电流时，注入的少数载流子靠复合而发光。它可以发出绿光、黄光、红光和红外线等。所用的材料有 GaP、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs、In1-xGaxAs1-yPy等。

半导体雷射器

如果使高效率的半导体发光管的发光区处在一个光学谐振腔内，则可以得到雷射输出。这种器件称为半导体雷射器或注入式雷射器。最早的半导体雷射器所用的PN结是同质结，以后采用双异质结结构。双异质结雷射器的优点在于它可以使注入的少数载流子被限制在很薄的一层有源区内复合发光，同时由双异质结结构组成的光导管又可以使产生的光子也被限制在这层有源区内。因此双异质结雷射器有较低的阈值电流密度，可以在室温下连续工作。

光电池

当光线投射到一个PN结上时，由光激发的电子空穴对受到PN结附近的内在电场的作用而向相反方向分离，因此在PN结两端产生一个电动势，这就成为一个光电池。把日光转换成电能的日光电池很受人们重视。最先套用的日光电池都是用矽单晶制造的，成本太高，不能大量推广使用。国际上都在寻找成本低的日光电池，用的材料有多晶矽和无定形矽等。

其它

利用半导体的其他特性做成的器件还有热敏电阻、霍耳器件、压敏元件、气敏电晶体和表面波器件等。

未来发展

今年是摩尔法则(Moore'slaw)问世50周年，这一法则的诞生是半导体技术发展史上的一个里程碑。

这50年里，摩尔法则成为了信息技术发展的指路明灯。计算机从神秘不可近的庞然大物变成多数人都不可或缺的工具，信息技术由实验室进入无数个普通家庭，网际网路将全世界联系起来，多媒体视听设备丰富著每个人的生活。这一法则决定了信息技术的变化在加速，产品的变化也越来越快。人们已看到，技术与产品的创新大致按照它的节奏，超前者多数成为先锋，而落后者容易被淘汰。

这一切背后的动力都是半导体晶片。如果按照旧有方式将电晶体、电阻和电容分别安装在电路板上，那么不仅个人电脑和移动通信不会出现，连基因组研究、计算机辅助设计和制造等新科技更不可能问世。有关专家指出,摩尔法则已不仅仅是针对晶片技术的法则不久的将来，它有可能扩展到无线技术、光学技术、感测器技术等领域，成为人们在未知领域探索和创新的指导思想。

毫无疑问，摩尔法则对整个世界意义深远。不过，随着电晶体电路逐渐接近性能极限，这一法则将会走到尽头。摩尔法则何时失效?专家们对此众说纷纭。早在1995年在芝加哥举行信息技术国际研讨会上，美国科学家和工程师杰克·基尔比表示，5纳米处理器的出现或将终结摩尔法则。中国科学家和未来学家周海中在此次研讨会上预言，由于纳米技术的快速发展，30年后摩尔法则很可能就会失效。2012年，日裔美籍理论物理学家加来道雄在接受智囊网站采访时称，"在10年左右的时间内，我们将看到摩尔法则崩溃。"前不久，摩尔本人认为这一法则到2020年的时候就会黯然失色。一些专家指出，即使摩尔法则寿终正寝，信息技术前进的步伐也不会变慢。

图书信息

书 名: 半导体器件

作 者:布伦南高建军刘新宇

出版社:机械工业出版社

出版时间: 2010年05月

ISBN: 9787111298366

定价: 36元

内容简介

《半导体器件:计算和电信中的套用》从半导体基础开始，介绍了电信和计算产业中半导体器件的发展现状，在器件方面为电子工程提供了坚实的基础。内容涵盖未来计算硬体和射频功率放大器的实现方法，阐述了计算和电信的发展趋势和系统要求对半导体器件的选择、设计及工作特性的影响。

《半导体器件:计算和电信中的套用》首先讨论了半导体的基本特性接着介绍了基本的场效应器件MODFET和M0SFET，以及器件尺寸不断缩小所带来的短沟道效应和面临的挑战最后讨论了光波和无线电信系统中半导体器件的结构、特性及其工作条件。

作者简介

Kevin F Brennan曾获得美国国家科学基金会的青年科学家奖。2002年被乔治亚理工大学ECE学院任命为杰出教授，同年还获得特别贡献奖，以表彰他对研究生教育所作出的贡献。2003年，他获得乔治亚理工大学教职会员最高荣誉--杰出教授奖。他还是IEEE电子器件学会杰出讲师。

图书目录

译者序

前言

第1章 半导体基础

1.1 半导体的定义

1.2 平衡载流子浓度与本征材料

1.3 杂质半导体材料

思考题

第2章 载流子的运动

2.1 载流子的漂移运动与扩散运动

2.2 产生-复合

2.3 连续性方程及其解

思考题

第3章 结

3.1 处于平衡状态的pn结

3.2 不同偏压下的同质pn结

3.3 理想二极体行为的偏离

3.4 载流子的注入、拉出、电荷控制分析及电容

3.5 肖特基势垒

思考题

第4章 双极结型电晶体

4.1 BJT工作原理

4.2 BJT的二阶效应

4.2.1 基区漂移

4.2.2 基区宽度调制/Early效应

4.2.3 雪崩击穿

4.3 BJT的高频特性

思考题

第5章结型场效应电晶体和金属半导体场效应电晶体

5.1 JFE

发行价24.26元/股，市盈率40倍，“科创板第一股”定价宣告“锻造”完毕。

6月26日，华兴源创（688001.SH）发行价正式出炉，随后将在6月27日正式进入网上网下申购环节。24.26元/股对应到摊薄后2018年市盈率为39.99倍，这直接打破了此前A股的23倍市盈率“魔咒”。

与此同时，睿创微纳、天准 科技 两只科创板个股也在近日启动了路演询价，将于下周二正式开始申购。以华兴源创为始，首批科创板企业进入“发行上市时间”。

6月21日上午，位于北京华远街2号的泛太平洋酒店迎来了一波风尘仆仆、西装革履的商务人士，这些来参加“科创板第一股”华兴源创网下路演的机构投资者代表，让位于酒店二层的一间会议厅成为焦点。

6月19日，完成注册的华兴源创快速开启了初步询价工作。根据发行安排。公司将自6月19日开始进行为期三天的线下路演，以收集初步询价，并最终确认发行价格。

6月21日已经是路演的第三天，但众多机构投资代表仍未下定决心以何种价码参与报价。

“中介机构给出的是30-38倍的估值区间，对应的每股价格区间为21.17元-26.82元人民币，但在这个区间内如何报价，仍然颇为头疼。我们已经征询了很多专业机构的意见。一旦报价失策，就会错失参与首家科创板企业的机会。”在路演现场，北京一家中小公募的基金经理王思有点头疼。

“还是想再拖一拖，等到下周一（6月24日）初步询价截止前，大家都有个明确价格后再问问同行吧。”王思整场路演都在记录参会者提出的问题和华兴源创的回复，“还要回去和同事讨论”。

像王思这样选择记下路演实录再回去商讨的机构投资者并不在少数。路演现场也可以看到互相询价讨论的机构人士，一例明确的报价便会引来周遭同行的围观，华兴源创保荐机构华泰证券的参会人员更是在路演结束后被团团围住。

科创板并试点注册制下，上市企业23倍市盈率被打破。如何基于自身的判断，给出合理的申报价格，成为投资方要考虑的难题。除此以外，科创板首批企业可能带来的制度红利，也影响着众专业投资机构的判断。

“目前来看，我们会偏向中上的报价，”王思表示，作为首家科创板注册企业，华兴源创估值不能仅凭基本面来考虑，还要考虑市场的热度问题。“我觉得报32倍估值可能会抢不到”。

从事一级市场私募股权投资的新鼎资本董事长张弛也指出，投资科创板首批企业不仅能分享企业成长带来的红利，还能享受政策带来的红利，“这可能是自2009年创业板成立以来，最大的机会了”。

由此可见，对于投资机构而言，报价准确并以此入围配售机构行列，已经是在科创企业进入二级市场交易、估值大概率膨胀前最后的“上车机会”，不得不珍惜，报价也不得不慎重。

有趣的是，在科创板政策红利催动下，已有部分机构选择“蒙眼”投资。在6月19日华兴源创第一轮路演时，上海某公募投资总监就向界面新闻表示，已经拒绝了保荐机构发出的路演邀请：“第一家不用看啊，直接跟着保荐机构的定价申购就行，肯定能赚钱。”

选择“蒙眼”跟投的机构人士毕竟还是少数，多数投资机构依然想通过路演与华兴源创公司管理层直面接触，以获取帮助准确定价的信息。

6月21日华兴源创在北京的网下路演共分为两场。先是公司管理层与机构投资方高层在9点举行“一对小多”路演，共邀请了约10名机构投资方代表参加。然后才是10点15分的“一对多”大型路演。

“能和公司管理层接触，了解对方的为人也是决定投资的关键一步，虽然可能对最终的定价不会产生影响。”王思表示。

界面新闻了解到，在当天两场路演中，华兴源创主动介绍的内容基本一致，着重凸显了业务承揽能力，全球先进企业的对标情况，以及正在测试的新技术，最后才介绍了公司基本面情况。

在线下机构投资者提问环节，虽然仍围绕公司现有业务及未来发展潜力展开，但提问内容明显相比主板路演更为专业。

“平板检测设备方面，Array、Cell、Module业务的分布怎样？”“未来公司仍然会聚焦于柔性OLED和六代线LCD两部分业务吗？”这些晦涩的专有名词令普通投资者需要下一番功夫去理解。

当然在场的投资方也不全是就技术专业问题提问。华兴源创产品市占率、与苹果合作占比过高是否会受到贸易摩擦影响、存储订单情况如何等更偏向公司基本面的情况也有投资者问及。值得注意的是，投资机构提出的这些问题和此前上交所问询的内容高度一致。

但他也认为，路演内容并不能太大幅度左右其最后的申报价格，“前期我们的分析师也都研究过了，感觉今天来的主要意义还是跟同行交流。”

“其实对于分析师来说，科创板企业的首场路演和此前的A股IPO路演区别不大。”北京地区某中型券商分析师也认为，两者的路演现场，投资方均会对企业的业绩波动、业绩可持续性、市场占有率、客户集中度等问题展开提问，目的是为了确定企业未来的成长性。

“可能最大的区别就是科创板路演材料太专业，我看不懂吧。”在看过华兴源创提供的现场路演材料后，上述分析师笑称。

无论是通过线下路演从公司管理层处获取信息，还是跟同行交流定价的经验，都无法驱散投资机构对申报价格的谨慎态度。

此次华兴源创配售采用了“三档报价”的模式。参与询价的网下投资者可以为其管理的不同配售对象账户分别填报一个报价，每个报价都申报的每股价格和该价格对应的拟申购股数。同一网下投资者全部报价中的不同拟申购价格不超过3个，也就是所谓的三档。

另外，在初步询价时，同一网下投资者填报的拟申购价格中，最高价格与最低价格差异幅度不得超过20%。

从华兴源创最后公布的配售情况来看，机构投资者之间的博弈堪称白热化。根据约定的剔除规则，申报价格高于26.81元/股或低于24.26元/股的配售对象被全部剔除，有效报价范围上下限差异幅度仅为10.5%。

“这真是小数点后一位的价格战，”据王思透露，其所在的机构最终报价比有效报价上限多出了0.01元，最终未能参与配售。

“26.82元/股，正是华泰证券给出的参考价格上线，我们也是受到了市场消息的扰动，说要顶格报，还是怕失去这次机会吧，没想到报超了。”王思苦笑道。

有王思这样想法的机构也不止一家。从最终配售情况来看，定价在26.82元/股的配售对象就有79个，占到了被高价剔除配售对象总数的44%。

“接近150家机构对一家公司展现出来的如此集中的报价，并不是因为大家对该公司的预期一致，而是在科创板首批预期不能破发的情况下，拿到筹码比挣多挣少重要。”前资深投行人士王骥跃评论道。

他表示，根据规则，询价对象报高价会被剔除的（剔除比例不低于10%），而报价低于发行价是不能参与网下申购的，要保证能够获得网下申购资格就必须要报价在发行价之上。所以，华泰证券的投价报告成为了科创板定价的关键锚点。

安信证券研究中心总经理助理诸海滨表示，科创板网下申购和A股过去打新规则有很大不同，建议机构多个产品之间差异化报价或可提高有效报价概率。

数据显示，保荐机构（主承销商）通过上交所网下申购电子化平台系统共收到214家网下投资者管理的1752个配售对象的初步询价报价信息，对应的申报数量为1026660万股，申购热情堪称火热。

按照诸海滨统计，华兴源创最终定价在投价报告区间范围内中间位置，且未超过网下投资者的报价中位数和加权平均数中的孰低值。更是低于行业可比的精测电子（49.22倍）、长川 科技 （180.57倍）等公司的市盈率。

“华兴源创在行业题材上并不稀缺，且其报告期内业绩增速明显弱于可比公司精测电子。”申万宏源策略团队表示，获配股票集中上市或将对产品净值波动产生一定影响，可能会倒逼网下询价投资者报价更加谨慎，同时也会考虑有选择性参与。

另外，通过抽签方式确定其中10%的账户获配股份锁定半年，一方面会使得部分对投资周期风控较严的产品考虑选择性参与，另一方面也将一定程度引导其理性报价。

不过无论如何，华兴源创都突破了长久以来A股“23倍盈利定价”的魔咒，科创板第一股的定价历程和逻辑极具借鉴意义，也让市场对未来注册制下科创板企业上市交易充满期待。

问：华兴源创与苹果公司合作取得的销售收入占比较高，贸易摩擦会不会对合作产生影响？核心部件进口方面会不会有问题？

答：从企业来看，这是销售端和采购端的两个问题。销售端的环境变化，此前招股书已经作了充分披露，华兴源创的核心供应链还是在中国，当然我们也是在和行内最先进的客户合作，去推广我们的集成电路检测技术和检测设备。采购方面，招股书也披露了芯片的采购情况，目前也在扩大选择，从日本或欧洲进行采购。

问：请介绍半导体测试，有没有成型的订单情况，或者有意向的排单情况？

答：我们的BMS芯片检测设备给客户推出的其实是定制化的测试方案。得益于公司前两年，软件硬件平台的构建，通过客户的一些特殊需求，芯片的数值信号通道，模拟信号通道，DPS电源等。芯片测试来看，种类非常多，每个芯片都需要经过开发接口端的测试，我们称之为测量关卡，在我们平台上简单的规划测量关卡，注册不同类型的芯片，这是集成电路我们测试和开发的方向。BMS芯片测试设备，这一项签署订单累计金额已超过3亿元。

问：公司与对标的泰瑞达和爱德万两家测试机领军企业差距有多大，打算如何缩小，需要多长时间？

答：这两家企业属于行业内非常大的、非常专业的测试仪器制造公司，在1960年代末、1970年代初就在国外展业，经过多年努力，他们在行业形成一定的标准。我们华兴源创的研发团队，也由国内外芯片人才构成，华兴源创（想要缩小差距）还有很长的一段路，也希望通过上市科创板，获得投资机构和国家的支持。作为一家企业我们确实有些情怀，希望和国家一起，在芯片、集成电路领域尽快突破。

问：设备的使用寿命多久？除了下游企业新增产线对我们有需求外，还有什么和我们的业绩增长有关？

答：从平板行业来看，十几年来，我们经营的都是定制化设备。每个客户都有不同需求，整个产品迭代所需电子产品更新换代的，从原来的一年到现在的二年至三年，华兴源创首先会在周期内，开发一个完整的定制化新设备。同时，华兴源创的检测业务，还会跟随客户芯片更新的每个小迭代，客户需要通过我们测试芯片的改造升级性能。

问：平板检测设备方面，Array Cell、Module业务的分布怎样？

答：华兴源创在平板上的检测设备，主要针对中段CELL和后端模组，不管是电路、信号还是光学。之前LCD通过人工半自动这种合作来进行，最近通过全自动来进行。光学主要分成这几种，最有代表性的是柔性OLED，核心技术上修复色斑，OLED是个有机的显示屏，制作过程中会出现特殊的情况，通过设备采集、补偿，达到若色偏色各种情况下，完美呈现色彩。光学通过多年努力，公司在CELL阶段的AOI设备，是完全有自己的能力去完成。在Module AOI（ABI），也就是最后的完成期，我们也有自己核心的设备。

问：面板检测设备，现在我们的设备中用于LCD和OLED设备收入比例多少？

答：2017年收入出现了爆发，70%以上由OLED设备带来。2018年OLED收入持续下降，大概在30%-40%。

问：招股书中有提到公司检测治具消耗品的性质，这是什么意义，作为消耗品的更换频次？

答：我们的检测治具，有接触就会有损耗，开发设计阶段会针对具体客户定义更换时间，时间到了会自主更换。

问：招股书直接间接的订单在苹果有百分之八九十？其中有一部分40%左右是苹果指定的，还有40%是我们供应的下游客户再供应设备给苹果，是这个概念吗？

答：订单中有一部分苹果指定，根据其设计需求和指标来确定的产品。（另一部分）下游客户通过我们的检测治具来完成苹果给定的订单，最后生产的设备还是会应用到苹果手机的生产过程。

问：下游对苹果依赖度非常高？前几大客户对我们年度盈利的波动影响很大？

答：之前也说过盈利有些波动，和直接、间接客户的采购没有关系，主要还是产品影响。像2017年毛利就比较低，是因为当年三星的大订单以自动化监测设备为主，整个自动化这块需要很多设备和材料，价格比较公开，拉低了我们的毛利水平。

问：芯片是2017年设立试验部，现在订单拿的很快，这部分是我们既有客户的新订单，还是手机电池等领域的新客户？

答：目前还是商业保密期，我只能披露是华兴源创老客户的新需求。

半导体芯片测试贯穿芯片设计，晶圆制造以及封装和测试的整个过程 。它在降低半导体芯片和分立器件的成本，提高产品良率以及改善制造工艺方面起着关键作用。从狭义上讲，对半导体芯片测试的理解集中在封装和测试过程中。实际上，半导体芯片测试贯穿整个生产过程， 从半导体芯片设计开始，继续进行半导体芯片制造，最后进行封装半导体芯片的性能测试 。测试电路时，通过将芯片连接到 半导体芯片测试机，向芯片施加信号，分析芯片的输出信号，并将其与期望值进行比较，然后获得有关芯片，半导体性能的指标芯片分选机和探针台将芯片连接到测试仪以实现自动化测试 。下游主要包括芯片设计公司，晶片制造公司以及封装和测试厂商。

晶圆制造过程测试也称为中级测试。它用于 识别晶片上的工作芯片性能，以确保只有能够实现正常数据通信并通过电气参数和逻辑功能测试的芯片才能进入封装过程，以节省不必要的时间，同时，它可以为晶圆厂提供良率数据批量生产半导体芯片，及时发现半导体芯片技术的缺陷 。此阶段的半导体芯片测试可以在晶圆厂中进行，也可以送到工厂附近的代工厂进行测试，这一环节主要使用半导体芯片测试机和探针台。半导体芯片探针台是高精度设备，其技术障碍主要体现在关键参数上，例如系统的精确定位，微米级运动和高精度通信。

最终测试用于确保成品半导体芯片在出厂前能够满足设计规范要求的性能和功能。它主要使用 半导体芯片测试仪和分选机 。分选机将被测试的芯片分批提供给测试仪器。在一定的测试环境下，将半导体芯片测试零件的引脚与测试机的电信号相连，半导体芯片测试机的吞吐量对于提高自动化程度和测试起着重要的作用。 半导体芯片封装形式的逐渐多样化将对半导体芯片分类器在各种封装形式下快速切换测试模式的能力提出更高的要求 。

长川 科技 在成立之初，就以半导体芯片模拟测试仪和分选机为起点，走了自主研发之路 。经过多年的精耕细作，实现了产品从零开始的不断升级，深化了产品布局。半导体芯片测试机和分选机的核心性能指标可与国际先进水平相提并论，同时价格低于竞争产品，具有成本效益优势。

经过一系列的研发，公司推出了第一代半导体芯片模拟测试仪CTA8200，以满足功率放大器，运算放大器和电机驱动模拟半导体芯片的电气性能参数测试需求。随后公司启动了第二代模拟/数字混合半导体芯片测试机的研发，并推出了CTA8280型号，从而缩短了信号源响应时间，提高了数据转换精度，减少了线路干扰，改善了测试数据稳定性和测试效率等方面已得到明显改善。先后推出了CTT3600，CTT3280和CTT3320三种型号。其中，CTT3320系统是中国具有最强并行测试能力的半导体芯片功率设备测试系统，具有32位并行测试能力。

公司的分选机主要是半导体芯片重力分选机和平移分选机。半导体芯片重力分选机主要用于传统包装形式的分选。随着半导体芯片包装从插入生产到贴片生产的逐步过渡，该公司成功开发出了具有视觉检查功能的半导体芯片检查和收集一体机。非常适合后续过程中自动放置的生产模式。随着QFP，QFN和BGA先进封装的兴起，对半导体芯片分选机的测试速度，测试压力，精度，多功能性和适应性提出了更高的要求。该公司已经开发了相关技术，以实现PLCC，BGA，LGA和其他半导体芯片封装形式，以满足处理器，SOC和MCU等高端半导体芯片的测试要求。

全球测试设备市场高度集中。 Tokyo Precision和Tokyo Electronics占据了探测台市场80％以上的份额；在分选机市场中，Advan，Corsue和Epson这三个公司的市场份额已超过60％。Advan和泰瑞达以87％的市场份额几乎垄断了测试机市场。 泰瑞达在SoC测试领域占据绝对领先地位，市场份额接近57％。Advan的市场份额为40％的市场份额已成为内存测试的领导者。模拟测试的技术障碍相对较低。我国长川 科技 和北京华峰在模拟/数字-模拟混合测试领域做出了努力，并在国内替代方面取得了一定进展。 长川 科技 的第三代半导体芯片模拟测试系统拥有高端设备，可以实现替代国外高端机器。北京华峰自主研发的半导体芯片模拟混合信号自动测试系统STS 8200成功打破了国外垄断，华峰已进入意法半导体，日月光等国际厂商的供应商体系。与先前的晶片制造设备相比，封装和测试设备的技术难度较小，并且定位的难度较低。另外，大陆包装测试公司在世界上具有很强的竞争力，国内包装测试设备公司可以切入下游客户，为实现国产替代创造良好条件。

2020年前三季度，公司实现营业收入5亿元，同比增长150%，归属于母公司所有者的净利润为0.35亿元，同比增长2584%；其中第三季度营业收入为1.82亿元，同比增长82%，归属于母公司所有者的净利润为906万元，同比增长3598%。 虽然营收与净利润同比增长，但仍有很大不足，仍需改善。

A股上市公司半导体芯片测试设备黑马股长川 科技 处于中短期上升格局，主力机构阶段性控盘结构，据大数据统计，主力筹码约为40%，主力控盘比率约为43%， 趋势研判与多空研判方面，可以参考13日均线及21日均线，均线组排列关系影响中期格局，13日均线作为中短期多空参考，21日均线作为中期参考。

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