半导体材料分为空穴和电子两种不同类型霍尔片有什么区别?对霍尔

半导体材料分为空穴和电子两种不同类型霍尔片的区别为：

1、形成的不同原因：在外加电场中，p型半导体中的电子依次以电场的相反方向填充空穴，空穴沿电场的方向运动。空穴可以被认为是带正电荷的粒子，它的运动通过取代电子的运动来解释p型半导体中电流的形成。通过自由电子的定向运动而导电的行为。

2、不同的机制：孔由于净正电荷，所以会吸引其他电子，使电子运动更容易在半导体中，可以发现，似乎洞传导是净正电荷吸引其他电子带正电荷的转变，实际上事实上仍然是电子传导，移动洞只是正电荷等价的。

半导体系指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如电脑、行动电话或是数位录放音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有矽、锗、砷化镓等，而矽更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

材料的导电性是由「传导带」（conduction band）中含有的电子数量决定。当电子从「价带」（valence band）获得能量而跳跃至「导电带」时，电子就可以在带间任意移动而导电。一般常见的金属材料其导电带与价电带之间的「能隙」非常小，在室温下电子很容易获得能量而跳跃至导电带而导电，而绝缘材料则因为能隙很大（通常大于9电子伏特），电子很难跳跃至导电带，所以无法导电。

一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特，介于导体和绝缘体之间。因此只要给予适当条件的能量激发，或是改变其能隙之间距，此材料就能导电。

半导体通过电子传导或电洞传导的方式传输电流。电子传导的方式与铜线中电流的流动类似，即在电场作用下高度离子化（ionization）的原子将多余的电子向着负离子化程度比较低的方向传递。电洞导电则是指在正离子化的材料中，原子核外由于电子缺失形成的「电洞」，在电场作用下，电洞被少数的电子补入而造成电洞移动所形成的电流（一般称为正电流）。

材料中载子（carrier）的数量对半导体的导电特性极为重要。这可以通过在半导体中有选择的加入其他「杂质」（三、五族元素）来控制。如果我们在纯矽中掺杂（doping）少许的砷或磷（最外层有五个电子），就会多出一个自由电子，这样就形成N型半导体；如果我们在纯矽中掺入少许的硼（最外层有三个电子），就反而少了一个电子，而形成一个电洞（电洞），这样就形成P型半导体（少了一个带负电荷的电子，可视为多了一个正电荷）。,参考: zh. *** /w/index?title=%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94&variant=zh-,

由爱因斯坦方程 D/u = KT/q D 载流子（电子或空穴）扩散系数,u 载流子迁移率 KT/q除T温度外其他为常数. 由于扩散系数的不同,就是说在相同温度下电子与空穴的迁移率不同.其速度为迁移率和电势能的乘积,所以速度不同. PS 至于扩散系数,是由平均自由城和平均自由时间等搞出~空穴的D一般比电子的D小~~

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