模电的题，T1,T2,T3的特性完全一样，具体题目如图所示

这种情况下，T1、T2性能完全一致，当发射极电压相同时，其集电极电流是一样的；所以，Ic1+Ib1+Ib2=IR，I=Ic2，Ic1=Ic2，那么 IR>=I；

三极管在使用中要选β高的，ICEO小的，所以这三个三极管中，应该首选T2，再选T1，最后选T3。

例如：

1、Uc1=Uc2=VCC-Rc*IcQ

IcQ=βIbQ，IbQ=IeQ/(1+β) ∴IcQ≈baiIeQ=½mA (IeQ为恒流源电流的一半)

即 Uc1=Uc2=12-(0.5*10)=7V

2、Ri=2(Rb+rbe)，Ro=2Rc

△zhiUid=△IB*Ri=△IB*2(Rb+rbe)

△-Uod=△Ic*Ro=△Ic*2Rc

Ad=-△Uod/△Uid=-βRc/Rb+rbe

理想情况下Ac=0

扩展资料：

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。

参考资料来源：百度百科-三极管

1.1.单向导电性0.6~0.7V,一般写0.7V就好.

1.A

在反向击穿区,反向击穿电流在较大范围内变化时,管子两端的电压变化范围却很小,起到稳压作用.

2.B

两级放大电路总的通频带比任何一级放大电路都窄.因此,多级放大电路提高了电压放大倍数,但是以牺牲通频带为代价.

3.D

利用电场效应来控制半导体中多数载流子的运动,以实现放大作用.

场效应管是电压控制型器件,是栅源电压控制漏极电流.而三极管是电流控制器件,是基极电流控制集电极电流.

4.A

在本征半导体硅或锗的晶体中掺入微量三价元素硼(或镓,铟等),半导体内部空穴的数量将增加成千上万倍,导电能力大大提高,这类杂质半导体称为P型半导体,也称为空穴型半导体.

如果在本征半导体硅或锗的晶体中掺入微量五价元素磷(或砷,锑等),半导体内部的自由电子的数量将增加成千上万倍,导电能力大大提高,这类杂质半导体称为N型半导体,也称为电子型半导体.

二极管在电路中的一般是起整流、稳压、续流、检波、恒流、分压、升压、变容、保护等作用。

二极管的种类繁多，主要应用于电子电路和工业产品。经过多年来科学家们不懈努力，半导体二极管发光的应用已逐步得到推广，发光二极管的应用范围也渐渐扩大，它是一种符合绿色照明要求的光源，是普通发光器件所无法比拟的。

二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。

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