电力半导体器件IGBT有哪些特点

电力半导体器件IGBT有哪些特点,第1张

IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。

提问者: yz900110 - 试用期 一级

最佳答案

西安电力电子技术研究所

【研究内容】

研究范围:电力半导体器件和装置的研究。

推广技术与项目:4英寸超大功率快速晶闸管;5英寸大功率晶闸管。

学科分类: 电子、通信与自动控制技术 ; 动力与电气工程

【科研能力】

职工人数:740 (人)

技术人员: 375 (人)

机构类别: 省市系统

上级主管单位: 省科技厅

成立年代: 1966

主要研究人员:

内部机构名称: 第一研究室,第二研究室,第三研究室,第四研究室,国家工程研究中心,国家质量检测中心,行业标准室,

下属机构名称: 西安千岛实业有限责任公司,西安屹立电力电子有限责任公司,西安爱帕克电力电子有限公司,西安西普电力电子有限公司

出版刊物: 电力电子技术 季刊

生产产品: KS双向晶闸管 ; 超大功率晶闸管 ; 大功率晶闸管 ; 大功率GTO组件 ; 大功率整流管 ; 高压电子束轰击炉电源 ; 快恢复二极管 ; 快开通晶闸管 ; 脉冲电镀电源 ; KK快速晶闸管 ; 高压等离子风洞整流电源

科研成果: LGBT模块封装技术研究 ; 绝缘栅双极晶体管IGBT模块 ; 小光控晶闸管DV/DT测试台 ; MJ-Ⅱ/50型半自动磨角机技术工艺设备研究 ; GTR模块结构及封闭工艺 ; GTO应用共性基础技术研究 ; 晶闸管综合特性测试台 ; GTR模块测试技术和设备 ; 地铁动车斩波调压系统 ; KK2000A/1600V超大功率快速晶闸管 ; 12KV1500A高压晶闸管组件 ; 功率器件用中子嬗变掺杂直拉硅及其应用 ; Φ77MM系列大功率低损耗晶闸管 ; 直径100MM特大功率晶闸管 ; 城市轨道交通车用大功率GTO组件 ; KHS型大电流整流装置 ; 阳极短路型可关断晶闸管研究 ; 光控晶闸管能发源 ; Φ100MM3000A/5500V特大功率晶闸管 ; IGBT测试技术研究 ; KDH-Ⅱ型3000KW电力回收装置 ; 600A、1000~1800V大功率GTO晶闸管 ; Φ125MM三峡直流输电用超大功率晶闸管 ; 大容量高频率IGBT模块 ; IGBT器件封闭技术 ; GTO元件及组件开关时间测试台 ; GTR模块、GTO组件及应用模块测试技术和设备 ; 300MW汽轮发电机旋转励磁整流组件 ; 非对称晶闸管ASCR500A/2000V研究 ; 大功率GTO组件 ; 中板可逆轧机主传动晶闸管微机控制 ; 高压大电流快速晶闸管KK1000A/2000V的研究 ; 高频晶闸管的研制 ; KHS、ZHS电冶、电化学用整流电源 ; 高电压大电流高可靠性晶闸管研究 ; ±100KV舟山直流输电成套设备 ; 晶闸管稳态热阻及瞬态热阻抗测试方法研究和测试设备研制

拥有专利: 制造快速晶闸管的扩金新工艺 ; 桥臂组件结构的密封励磁功率柜

获奖情况: 部委级奖 ; 省级奖 ; 国家级奖 ; 部委级奖 ; 省级奖 ; 国家级奖

【研究成果】(共71项,以下显示其中10项)

¢77mm晶闸管元件

超高压大功率晶闸管的国产化 (中国机械工业科学技术奖三等奖)

4in超大功率快速晶闸管 (中国机械工业科学技术奖二等奖)

大功率电解整流电源

GTO GTR应用电路模块

GTO GTR应用共性基础技术

IGBT器件的制造和工艺技术

MCT计算机辅助设计制造技术和测试技术

绝缘栅双极晶体管IGBT模块

KHS、ZHS电冶、电化学用整流电源

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【申请专利】(共3项 ,以下显示其中10项)

桥臂组件结构的密封励磁功率柜 (申请号:97239564.4)

钼片回收新方法 (申请号:88103038.4)

制造快速晶闸管的扩金新工艺 (申请号:86102417)

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【发表期刊论文】(共41篇 ,以下显示其中10篇)

阀组件在电力系统中的应用前景 楼晓峰 (电力设备 2006(7) )

ZK1150/4500快恢复二极管的研制 郭永忠 (电力电子技术 2006(5) )

60 t进口直流电弧炉电源的改造 王保荣 (工业加热 2006(1) )

Ф100快速晶闸管的研制 高山城 (电力电子技术 2005(5) )

X射线衍射分析热处理温度对透明导电膜结构与导电性能的影响 马颖 (液晶与显示 2005(4) )

高压变频器散热系统的设计 王丹 (电力电子技术 2005(2) )

有关交流拖动系统的IEC及国内标准动态 金东海 (电力电子技术 2005(2) )

直流输电用超大功率晶闸管少子寿命在线控制 李建华 (电力电子技术 2005(1) )

电弧炉与电网 张殿军 (工业加热 2004(5) )

采用谐振极软开关逆变器的异步电机直接转矩控制仿真研究 黄晓东 (西安理工大学学报 2004(3) )

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【发表学术会议论文】(共19篇 ,以下显示其中10篇)

国内外电力电子器件发展现状 (2004年全国电力网无功/电压技术研讨会 (2004-10-1))

晶闸管智能模块 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))

热管结构的10kV晶闸管阀组件 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))

PRC电路中负载变化对逆变器开关状态的影响 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))

三峡工程与高压直流输电 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))

电力电子集成技术的现状及发展方向 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))

质子辐照用于改善大功率快速晶闸管的特性 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))

4万t/a离子膜整流装置的运行总结 (第20届全国氯碱行业技术年会 (2002-9-1))

基于空间电压矢量的永磁同步电机控制系统仿真 (第七届中国电力电子与传动控制学术会议 (2001-7-1))

采用热管散热和φ100mm晶闸管的巨型励磁功率柜 (CSEE中国电机工程学会大电机专业委员会2001年度励磁学术讨论会 (2001-5))

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【起草标准】(共61项 ,以下显示其中10项)

半导体器件 分立器件第6部分:晶闸管第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 (标准编号:GB/T 13151-2005)

半导体器件 分立器件 电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范 (标准编号:GB/T 13150-2005)

电力半导体器件用接插件 (标准编号:JB/T 5843-2005)

电力半导体器件用门极组合件 (标准编号:JB/T 5835-2005)

电力半导体器件用管芯定位环 (标准编号:JB/T 5842-2005)

电力半导体器件用管壳瓷件 (标准编号:JB/T 10501-2005)

低压直流电源设备的性能特性 (标准编号:GB/T 17478-2004)

半导体变流器 包括直接直流变流器的半导体自换相变流器 (标准编号:GB/T 3859.4-2004)

电工术语 电力电子技术 (标准编号:GB/T 2900.33-2004)

电力半导体器件用散热器 第1部分:铸造类系列 (标准编号:GB/T 8446.1-2004)

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【媒体新闻】(共6篇 ,以下显示其中10项)

直流设备全面国产化之路能走多远 (2006-9-13)

大型清洁高效发电装备被列入重点发展对象 (2006-6-21)

曾培炎:振兴装备制造业关系现代化建设的全局 (2006-6-20)

国务院振兴装备制造业工作会议举行 (2006-6-20)

电力电子行业修改生产许可证实施细则 (2003-4-16)

西安电力电子技术研究所勇攀科技高峰 (2003-4-9)

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【联系信息】

机构名称: 西安电力电子技术研究所

曾 用 名: 机械工业部西安整流器研究所

负 责 人: 陆剑秋 职务: 所长 职称: 高级工程师,教授

地 址: 陕西省西安市朱雀大街94号 (710061)

电 话: (029) 85271717(办),85271888,85271829(科)

传 真: (029) 85261691

电子邮件: [email protected][email protected]

网 址: http://www.chinaperi.com


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