非易失存储器MRAM芯片MR25H10CDC介绍

Everspin公司生产的MRAM用于数据持久性和应用的市场和应用。Everspin MRAM应用在数据中心和云存储、汽车和运输市场。MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力——能够将存储存储器的密度与 SRAM 的速度相结合，同时具有非易失性和节能性。

1Mb串行mram特性

•无写入延迟

•无限写入耐久性

•数据保留超过20年

•断电时自动数据保护

•块写保护

•快速、简单的SPI接口，时钟速率高达40MHz

•2.7至3.6伏电源范围

•低电流睡眠模式

•工业温度

•提供8引脚DFN RoHS兼容封装

•直接替代串行EEPROM、闪存、FeRAM

•AEC-Q1001级选项

MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。，市场上已有从非常小的 MRAM 芯片到1Gb芯片的MRAM芯片，并且正在将这种技术用于许多应用。这使得 MRAM 适用于汽车、工业、军事和太空应用。

MR25H10系列产品

Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp Order MulTIple / T&R MOQ / T&R 1Mb 128Kx8 MR25H10CDC 8-DFN 3.3V Industrial 4,000 4,000 1Mb 128Kx8 MR25H10MDC 8-DFN 3.3V AEC-Q100 Grade 1 4,000 4,000 1Mb 128Kx8 MR25H10CDF 8-DFN sf 3.3V Industrial 4,000 4,000 1Mb 128Kx8 MR25H10MDF 8-DFN sf 3.3V AEC-Q100 Grade 1 4,000 4,000 1Mb 128Kx8 MR25H10MDFR 8-DFN sf 3.3v AEC-Q100 Grade 1 4000 4000 1Mb 128Kx8 MR25H10MDCR 8-DFN 3.3v AEC-Q100 Grade 1 4000 4000 1Mb 128Kx8 MR25H10CDFR 8-DFN sf 3.3v Industrial 4000 4000 1Mb 128Kx8 MR25H10CDCR 8-DFN 3.3v Industrial 4000 4000

责任编辑:tzh