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NRAM商用能席卷根深蒂固的DRAMNAND Flash吗?
25年来,内存产业一直在等待更好的技术出现。目前市场上的主流存储器是DRAM和NAND Flash,有可能席卷目前两种主流存储器的NRAM近日有了最新消息。有业内专家认为迟到总比缺席好,那么这种技术的
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晶圆缺货厂商助推 2017半导体产业缺货为主?
2017年已经开启,对于半导体产业链来说缺货是否会自上而下贯穿全年?12吋晶圆的缺货将直接导致存储器、识别芯片等产品的缺货,除此之外厂商的推波助澜、厂商提高价格拿货或将让2017半导体产业面临万物皆涨
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NOR Flash迎来4年多来的首次涨价
自 2016 年开始酝酿的一波存储涨价潮,在标准型内存(DRAM) 、储存型快闪内存 (NAND Flash) 已经拉出一波涨价之后,编码型快闪内存 (NOR Flash) 也跟随着涨价。根据 《经济
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中国半导体产业规模复合增长率超两成 黄金发展期已至
2017年中国半导体预料将由目前的半导体封测主导的全球分工格局逐步走向集成电路设计、集成电路制造,以及材料与设备逐步突破的方向全面发展,不但产业链趋于完整,集群效应也开始显现,等同中国半导体业的发展即
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DRAM和NAND Flash毛利率或在今年年中触顶
电子发烧友早八点讯: 存储供应紧俏,业者获利直线上冲,口袋赚饱。外资警告,厂商砸钱增产,DRAM 和 NAND Flash 的毛利率可能会在今年年中触顶。巴伦周刊(Barronˋs)7 日报导,Sus
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中国2025年IC自主率要达7成面临的主要困境
中国大陆拥有庞大IC产品需求市场,但自给自足率却明显偏低,必须高度仰赖海外IC产品进口。为此中国国务院于2015年3月发起“2025年中国制造”(MIC 2025)计划,目标到了2020年达到4成的I
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紫光南京半导体产业基正式开工 将支撑我国存储器跨越式发展
2月12日,在江苏省委、省政府和南京市委、市政府主要领导的主持见证下,江苏省2017年重大项目建设集中启动,总投资300亿元美元的紫光南京半导体产业基地和总投资300亿元人民币的紫光IC国际城项目正式
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紫光集团否认加入竞购东芝半导体股权行列
电子发烧友早八点讯: 就在日本半导体大厂东芝 (Toshiba) 于 14 日公布因美国子公司 “西屋电气” 在美国的核电事业不佳,造成东芝母公司必须提列 7,125 亿日元减损损失,拖累 2016
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3389亿美元!2016年全球半导体营收增幅小,中国成长9.2%
美国半导体协会(SIA)日前公布,全球半导体产业在2016年营收已来到3389亿美元,创下有史以来最高年营收纪录,相较2015年则微幅增加1.1%,其中以中国大陆市场的增幅最大,以9.2%领跑其它市场
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3D NAND良率是NAND Flash市场最大变数
据海外媒体报道,去年下半年以来NAND Flash市场供不应求,主要关键在于上游原厂全力调拨2D NAND Flash产能转进3D NAND,但3D NAND生产良率不如预期,2D NAND供给量又因
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鸿海并购东芝半导体无望?美中厂商展开争夺大战
备受业界关注的日本东芝(Toshiba)出售半导体事业案,传闻吸引来自美国、南韩、中国大陆、台湾等多路人马参与竞标,前外资分析师陆行之先前曾提出3大理由,认为鸿海等台厂出线机会最大。但另有产业专家研判
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竞标东芝半导体恐沦为“美、中大战抢日亲”
备受业界关注的日本东芝(Toshiba)出售半导体事业案,传闻吸引来自美国、南韩、中国大陆、台湾等多路人马参与竞标,前外资分析师陆行之先前曾提出3大理由,认为鸿海等台厂出线机会最大。但另有产业专家研判
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传鸿海寻找大陆合作伙伴想收购东芝半导体
电子发烧友早八点讯: 3月1日,在第10.5代显示器全生态产业园区动工仪式上,富士康总裁郭台铭向表示“我们有夏普经验,如果把东芝交给我们,作为东芝的用户、伙伴,我们会协助他们经营,注入资金以及很多元素
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NAND Flash供应持续吃紧 龙头三星业绩将逐季攀升
市调机构集邦科技预期,今年储存型快闪存储器(NAND Flash)整年都将维持供应吃紧的情况,NAND Flash厂商业绩可望逐季攀高。集邦科技调查,随着NAND Flash缺货达到高峰,产品平均售价
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iPhone8将导入NOR芯片 今年供给缺口将扩大至20%
苹果新手机iPhone 8将导入采用编码型闪存(NOR Flash),已让NOR芯片缺货更为严重。内存业者透露,今年NOR芯片供给缺口将扩大至20%,主要供应大厂赛普拉斯(Cypress)也正式发出涨
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NAND Flash供货吃紧 英特尔将优先供应企业级SSD
根据科技网站 ZDNet 的报导指出,半导体龙头英特尔(intel)正透过管道向合作伙伴发出通知,预计 2017 年全年 SSD 硬盘因为供应吃紧,这也迫使得英特尔未来将优先以供应数据中心级 SSD
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超10家厂商想抢东芝半导体 鸿海机会大吗?
东芝(Toshiba)以 NAND 型快闪存储器(Flash Memory)为主轴的存储器事业(含 SSD 事业、不含影像感测器)将分拆出去成立新公司“东芝存储器(Toshiba Memory)”,且
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三星和IBM研究MRAM,欲取代DRAM
三星电子(Samsung Electronics)与IBM携手研发出11纳米制程的次世代存储器自旋传输(Spin Transfer Torque)磁性存储器(STT-MRAM)。两家公司也表示,预计在
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紫光集团收购武汉新芯,下个目标还是美光?
据《华尔街日报》报道,清华紫光集团将收购武汉新芯的大部分股权,新武汉新芯将改名长江存储技术有限公司(Yangtze River Storage Technology Co.),紫光集团将拥有这家新公司